特許
J-GLOBAL ID：200903079695294094
マスク作製用部材及びマスクの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-211060
公開番号（公開出願番号）：特開平11-054409
出願日： 1997年08月05日
公開日（公表日）： 1999年02月26日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 サイズの大型化、歪の発生、荷電粒子線の特定方向への回折の、問題点について解決できる、マスク作製用部材及びマスクの製造方法を提供する。【解決手段】 シリコン基板の表面にシリコンエッチングに対するエッチング阻止層2を形成し、エッチング阻止層2の上にシリコン薄膜層3を形成し、Si基板の裏面上に、小領域の各設定箇所に対応する開口部分をそれぞれ有するエッチングマスクパターン4を形成する。エッチングマスクパターン4を使用して、シリコン基板の裏面を垂直または略垂直にエッチングすることにより、エッチング阻止層2に対して垂直または略垂直な壁面を有する複数の支柱6を前記境界領域の設定箇所に対応させて形成するとともに、小領域の各設定箇所に対応する各支柱間の開口部5をそれぞれ形成するし、各開口部5において露出したエッチング阻止層2を除去することにより、各開口部5にシリコン薄膜層からなるメンブレンを露出させる工程を有するマスク作製用部材の製造方法。
請求項（抜粋）：
マスクパターンが形成される多数のメンブレン上の小領域がマスクパターンが形成されない境界領域により区分されたマスク作製用部材であり、前記境界領域に対応する部分に支柱が設けられたマスク作製用部材を製造する方法において、シリコン基板の表面にシリコンエッチングに対するエッチング阻止層を形成する工程と、前記エッチング阻止層の上にシリコン薄膜層を形成する工程と、前記Si基板の裏面上に、前記小領域の各設定箇所に対応する開口部分をそれぞれ有するエッチングマスクパターンを形成する工程と、前記エッチングマスクパターンを使用して、前記シリコン基板の裏面を垂直または略垂直にエッチングすることにより、前記エッチング阻止層に対して垂直または略垂直な壁面を有する複数の支柱を前記境界領域の設定箇所に対応させて形成するとともに、前記小領域の各設定箇所に対応する各支柱間の開口部をそれぞれ形成する工程と、前記各開口部において露出したエッチング阻止層を除去することにより、各開口部に前記シリコン薄膜層からなるメンブレンを露出させる工程と、を有することを特徴とするマスク作製用部材の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/30 541 S
, G03F 1/16 B
