ラジカル生成装置、および処理装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：五十畑勉男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-037833
公開番号（公開出願番号）：特開2006-228813
出願日： 2005年02月15日
公開日（公表日）： 2006年08月31日
要約：

【課題】被処理物の処理において、触媒で発生する高熱の影響を受けることなく、かつ、触媒で発生したラジカルを効果的に利用できる構造を提供することである。【解決手段】原料ガスを高温の触媒13に接触させることで、当該原料ガスのラジカルを生成する構成であって、前記触媒13から発生する熱線に対する熱遮断部材14を有し、この熱遮断部材14は、触媒13から発生する熱を反射あるいは吸収する金属製部材15と、この金属製部材15の少なくとも熱線照射面に絶縁部材16を有することを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

原料ガスを高温の触媒に接触させることで、当該原料ガスのラジカルを生成する装置において、前記触媒から発生する熱線に対向した熱遮断部材を有し、この熱遮断部材は、触媒から発生する熱線を反射あるいは吸収する金属製部材と、この金属製部材の少なくとも熱線が照射される面に絶縁部材を有することを特徴とするラジカル生成装置。

IPC (4件)：

H01L 21/304 , B01J 19/00 , B01J 35/02 , C23C 16/02

FI (4件)：

H01L21/304 645Z , B01J19/00 321 , B01J35/02 G , C23C16/02

Fターム (28件)：

4G075AA22 , 4G075BA10 , 4G075BD14 , 4G075CA54 , 4G075CA57 , 4G075DA02 , 4G075EB33 , 4G075EE12 , 4G075FB02 , 4G075FB04 , 4G075FC06 , 4G075FC15 , 4G169AA02 , 4G169BC60A , 4G169CD10 , 4G169DA06 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030FA10 , 4K030KA47 , 4K030LA15 , 5F045AA00 , 5F045AB02 , 5F045AC01 , 5F045BB16 , 5F045DP03 , 5F045DQ10 , 5F045EK00

引用特許：

出願人引用 (2件)

特許2692326号
特許2595894号

審査官引用 (8件)

特許第2692326号
半導体製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-101864 出願人：大同酸素株式会社
化学的気相成長装置及び薄膜成膜方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-315213 出願人：日本電気株式会社

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