特許
J-GLOBAL ID：200903079843521020

Ti皮膜の形成方法

発明者：
川喜多 仁

川喜多 仁 について

, 
黒田 聖治

黒田 聖治 について

, 
片野田 洋

片野田 洋 について


出願人/特許権者：
独立行政法人物質・材料研究機構

独立行政法人物質・材料研究機構 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-093291
公開番号（公開出願番号）：特開2006-274326
出願日： 2005年03月28日
公開日（公表日）： 2006年10月12日
要約：
【課題】 Tiの酸化を抑えて緻密な金属TiもしくはTi合金の皮膜を形成することのできる改善された新しい技術手段を提供する。【解決手段】 高速フレーム溶射(HVOF)による金属TiまたはTi合金の皮膜を形成する方法において、不活性ガスの混合により、金属チタンまたはTi合金の粉末供給時のガス中の酸素濃度を5vol%以下、ガス温度を1500°C以下に制御して、基材への粒子衝突速度を500m/s以上とすることで、酸素含有量が1mass%以下で気孔率が2vol%以下の金属TiまたはTi合金皮膜を形成する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
高速フレーム溶射(HVOF)による金属TiまたはTi合金の皮膜を形成する方法において、不活性ガスの混合により、金属チタンまたはTi合金の粉末供給時のガス中の酸素濃度を5vol%以下、ガス温度を1500°C以下に制御して、基材への粒子衝突速度を500m/s以上とすることで、酸素含有量が1mass%以下で気孔率が2vol%以下の金属TiまたはTi合金皮膜を形成することを特徴とするTi皮膜の形成方法。
IPC (3件)：
C23C 4/12 ,  C23C 4/08 ,  C23C 4/18
FI (3件)：
C23C4/12 ,  C23C4/08 ,  C23C4/18
Fターム (6件)：
4K031AB02 ,  4K031AB09 ,  4K031CB36 ,  4K031DA01 ,  4K031EA10 ,  4K031FA04
引用特許：
審査官引用 (8件)
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