プラズマ処理装置及び処理方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：春日讓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-083753
公開番号（公開出願番号）：特開平10-284291
出願日： 1997年04月02日
公開日（公表日）： 1998年10月23日
要約：

【要約】【課題】大口径ウエハに対してアッシング等のプラズマ処理を行う場合にも、処理速度の十分な均一化を図る。【解決手段】アッシング装置1は、反応容器である処理チャンバ2と、ガス導入手段であるガス導入口3U,3Lと、ガス制御手段であるガスコントローラ4及びマスフローコントローラ5U,5Lと、プラズマ発生用のコイル状アンテナ6U,6Lと、電力供給手段である高周波電源部7L,7Uと、載置手段であるステージ8と、ガス排気手段である排気口9とを有し、周方向に延びて略円環状をなすプラズマ生成領域10U,10Lを処理チャンバ2内の半径方向2箇所に形成している。そしてアッシング装置1は、プラズマ生成領域10U,10Lにそれぞれ略円環状のプラズマ(図示参照)を生成させ、そのプラズマを用いてステージ8上に載置された被処理物である半導体ウェハ11のアッシングを行う。

請求項（抜粋）：

反応容器内で周方向に延びて略円環状をなすプラズマ生成領域を、半径方向複数箇所に形成し、前記反応容器壁面のうち前記プラズマ生成領域の略直上に位置する半径方向複数箇所に、処理用ガスを該プラズマ生成領域に導入するガス導入手段をそれぞれ形成し、これら複数のガス導入手段から導入するガス流量をそれぞれ別個独立に制御するガス制御手段を設け、前記プラズマ生成領域の前記半径方向に隣接し該プラズマ生成領域に電界を印加する少なくとも1つのアンテナを設け、このアンテナに電力を供給する電力供給手段を設け、前記反応容器内の前記複数のプラズマ生成領域より下方に被処理物を載置する載置手段を設け、前記反応容器壁面のうち前記載置手段よりも下方にガス排気手段を形成し、前記プラズマ生成領域に生成させたプラズマを用いて前記被処理物の処理を行うプラズマ処理装置。

IPC (5件)：

H05H 1/46 , C23F 4/00 , H01L 21/205 , H01L 21/027 , H01L 21/3065

FI (5件)：

H05H 1/46 B , C23F 4/00 A , H01L 21/205 , H01L 21/30 572 A , H01L 21/302 B

引用特許：

出願人引用 (8件)

プラズマ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-013981 出願人：東京エレクトロン株式会社
プラズマ処理方法及びその装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-212369 出願人：株式会社神戸製鋼所
特開平2-235332

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審査官引用 (8件)

プラズマ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-013981 出願人：東京エレクトロン株式会社
プラズマ処理方法及びその装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-212369 出願人：株式会社神戸製鋼所
特開平2-235332

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