半導体装置およびその作製方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-310581
公開番号（公開出願番号）：特開2003-203925
出願日： 2002年10月25日
公開日（公表日）： 2003年07月18日
要約：

【要約】【課題】絶縁表面を有する基板上にシステム全てを形成するSOG(System on Glass)を実現するための特性の良い、特に高移動度を有する薄膜トランジスタ(TFT)を提供する。【解決手段】キャリアの移動方向に結晶成長された半導体膜103に、当該半導体膜に対して前記キャリア移動方向に引っ張り応力を印加する材料からなるサイドウォール102を形成することにより、プロセスを大きく変更することなしに簡便に移動度の向上を図ることができる。引っ張り応力を印加する材料としては、窒化珪素膜などを挙げることができる。

請求項（抜粋）：

半導体膜と、前記半導体膜に引っ張り応力を印加する材料が接して設けられていることを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 21/336 , G02F 1/1333 500 , G02F 1/1368 , H01L 21/20 , H01L 29/786 , H05B 33/14

FI (6件)：

G02F 1/1333 500 , G02F 1/1368 , H01L 21/20 , H05B 33/14 A , H01L 29/78 618 Z , H01L 29/78 627 G

Fターム (122件)：

2H090JB02 , 2H090JB03 , 2H090JB04 , 2H090JD14 , 2H092JA23 , 2H092JA26 , 2H092JA34 , 2H092JA37 , 2H092JA41 , 2H092KA03 , 2H092KA04 , 2H092KA05 , 2H092KA10 , 2H092KB25 , 2H092MA13 , 2H092MA18 , 2H092MA25 , 2H092MA27 , 2H092MA30 , 2H092NA22 , 2H092NA27 , 2H092NA29 , 2H092PA01 , 3K007AB05 , 3K007AB18 , 3K007BA06 , 3K007BB07 , 3K007CA01 , 3K007CA03 , 3K007CA06 , 3K007DB03 , 3K007FA01 , 3K007GA04 , 5F052AA02 , 5F052AA11 , 5F052AA17 , 5F052BB01 , 5F052BB02 , 5F052BB04 , 5F052BB05 , 5F052BB07 , 5F052DA01 , 5F052DA02 , 5F052DA03 , 5F052DA04 , 5F052DA05 , 5F052DB01 , 5F052DB07 , 5F052EA12 , 5F052EA15 , 5F052EA16 , 5F052FA06 , 5F052FA19 , 5F052JA01 , 5F052JA04 , 5F110AA01 , 5F110BB01 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD05 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD17 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE05 , 5F110EE06 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE15 , 5F110EE23 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF23 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG03 , 5F110GG04 , 5F110GG12 , 5F110GG13 , 5F110GG22 , 5F110GG32 , 5F110GG43 , 5F110GG44 , 5F110GG51 , 5F110GG52 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ07 , 5F110HJ12 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HM15 , 5F110NN03 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN36 , 5F110NN72 , 5F110PP03 , 5F110PP24 , 5F110PP34 , 5F110QQ11 , 5F110QQ23 , 5F110QQ24 , 5F110QQ25 , 5F110QQ28

引用特許：

審査官引用 (6件)

薄膜トランジスタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-344269 出願人：シャープ株式会社
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-231628 出願人：株式会社東芝
薄膜状半導体素子およびその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-238709 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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