III族窒化物電流制御デバイスおよび製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：谷義一 , 阿部和夫
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-551388
公開番号（公開出願番号）：特表2007-520884
出願日： 2005年01月24日
公開日（公表日）： 2007年07月26日
要約：

III族窒化物デバイスが、名目上オフ、すなわち、エンハンスメントモードのデバイスを作製するための凹部電極を含む。凹部電極を設けることによって、デバイス中の電流の流れを阻止するために、電極が非能動であるときに2つのIII族窒化物材料の境界面に形成された導電チャネルが中断される。電極はショットキー接点または絶縁金属接点であり得る。名目上オフの特性を有する整流器デバイスを形成するために、2つのオーム接点を設けることができる。電極が形成された凹部は傾斜側面を有することができる。電極は、デバイスの電流運搬電極と組み合わせて幾つもの幾何学配置で形成可能である。電極が凹部でないとき、名目上オンのデバイス、すなわち、ピンチ抵抗が形成される。ダイオードは、絶縁体を貫通してAlGaN層に達する非凹部のオーム接点およびショットキー接点を設けることによっても形成される。

請求項（抜粋）：

異なる面内格子定数または異なるバンドギャップを有する2つのIII族窒化物材料間の境界面に形成された導電チャネルと、チャネル電流を運搬するために前記チャネルに結合された第1の電極と、前記導電チャネル中の電流の導通を制御するために、前記チャネルに結合されて前記導電チャネルに影響を与えるように動作可能な第2の電極と、を備え、前記第1の電極はオーム接点を含むことを特徴とする電流制御III族窒化物デバイス。

IPC (2件)：

H01L 29/861 , H01L 21/28

FI (2件)：

H01L29/91 H , H01L21/28 301B

Fターム (17件)：

4M104AA01 , 4M104AA04 , 4M104AA07 , 4M104AA10 , 4M104BB01 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB09 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104CC03 , 4M104DD26 , 4M104FF11 , 4M104GG03 , 4M104GG11 , 4M104GG12 , 4M104GG18

引用特許：

出願人引用 (3件)

米国特許仮出願第60/583941号明細書:2004年1月23日出願Clamped Impedance Field Effect Rectifier
米国特許仮出願第60/538794号明細書:2004年1月23日出願III-Nitride Pinch Resistor
米国特許仮出願第60/538864号明細書:2004年1月23日出願III Nitride Piezoelectric Heterojunction Interdigitated Rectifier

審査官引用 (7件)

半導体装置および電界効果トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-175246 出願人：日本電気株式会社
HEMT素子およびショットキーダイオード
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-016628 出願人：沖電気工業株式会社
電界効果トランジスタおよび化合物半導体集積回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-246585 出願人：株式会社日立製作所

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