特許
J-GLOBAL ID:200903080022385258
薄膜作製方法及び薄膜作製装置
発明者:
,
出願人/特許権者:
,
代理人 (4件):
光石 俊郎
, 光石 忠敬
, 田中 康幸
, 松元 洋
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-050950
公開番号(公開出願番号):特開2005-240091
出願日: 2004年02月26日
公開日(公表日): 2005年09月08日
要約:
【課題】 成膜条件の最適化を容易に実現し得る膜作成方法を提供する。【解決手段】 高蒸気圧ハロゲン化物を生成し得るCuで形成した被エッチング部材8を、ヒータ11で加熱することにより高温に保持した状態でこの被エッチング部材8にハロゲンガスであるCl2ガスを作用させることによりハロゲン化合物である前躯体(CuCl)15のガスを形成する一方、基板3の温度を相対的に低温に保持することにより前記前駆体15を基板3に吸着させ、その後この前躯体15にハロゲンのラジカルであるCl*を作用させてClを引き抜くことにより前記基板3上にCu薄膜16を析出させて成膜を行う。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
基板が収容されるチャンバの内部に配設する少なくとも一種類の高蒸気圧ハロゲン化物を生成し得る元素を含む材料で形成した被エッチング部材を、相対的に高温に保持した状態でこの被エッチング部材にハロゲンガスを作用させることにより前記元素とハロゲンとの化合物である前駆体のガスを形成し、
前記基板の温度を相対的に低温に保持することにより、前記前駆体を基板に吸着させ、
その後基板に吸着させた前躯体にハロゲンのラジカルを作用させてこの前躯体を還元することによりハロゲンを引き抜いて少なくとも前記元素成分を前記基板上に析出させて成膜を行うことを特徴とする薄膜作製方法。
IPC (3件):
C23C16/08
, C23C16/448
, H01L21/285
FI (3件):
C23C16/08
, C23C16/448
, H01L21/285 C
Fターム (28件):
4K030AA03
, 4K030BA01
, 4K030BA05
, 4K030BA14
, 4K030BA17
, 4K030BA20
, 4K030BA24
, 4K030EA01
, 4K030FA07
, 4K030FA10
, 4K030FA17
, 4K030JA05
, 4K030JA06
, 4K030JA10
, 4K030KA12
, 4K030KA22
, 4K030KA25
, 4K030KA39
, 4K030KA41
, 4M104BB04
, 4M104BB05
, 4M104BB14
, 4M104BB17
, 4M104BB18
, 4M104BB36
, 4M104DD43
, 4M104DD44
, 4M104DD45
引用特許:
出願人引用 (1件)
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金属膜作製装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2001-348315
出願人:三菱重工業株式会社
審査官引用 (4件)