半導体装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤強
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-234928
公開番号（公開出願番号）：特開2003-045988
出願日： 2001年08月02日
公開日（公表日）： 2003年02月14日
要約：

【要約】【課題】半導体装置のチップサイズの大形化を伴うことなくコンデンサのための電極面積を大きくすることが可能にし、容量の大形化及び高耐圧化を実現したコンデンサを形成可能にすること。【解決手段】絶縁分離トレンチ6内にはN型不純物が導入された埋込ポリシリコン6bが充填される。この埋込ポリシリコン6bは、絶縁分離トレンチ6の側壁酸化膜6aを誘電体薄膜としたコンデンサの第1の電極部として機能する。絶縁分離トレンチ6により区画された素子形成領域5間の単結晶シリコン層11にはN型不純物を導入されたN+拡散層16が形成される。このN+拡散層16は、コンデンサの第2の電極部として機能する。

請求項（抜粋）：

支持基板上にこれと電気的に絶縁した状態で形成された半導体層に当該絶縁機能部分に達する絶縁分離トレンチにより区分された複数の素子形成領域を設けて成る半導体装置において、前記絶縁分離トレンチの側壁絶縁膜を誘電体薄膜として利用したコンデンサを形成したことを特徴とする半導体装置。

IPC (11件)：

H01L 21/822 , H01L 21/331 , H01L 21/76 , H01L 21/762 , H01L 21/8222 , H01L 21/8249 , H01L 27/04 , H01L 27/06 , H01L 27/08 331 , H01L 27/12 , H01L 29/732

FI (9件)：

H01L 27/08 331 E , H01L 27/12 F , H01L 27/04 C , H01L 21/76 D , H01L 27/06 321 C , H01L 27/06 101 D , H01L 27/06 101 U , H01L 29/72 P , H01L 21/76 L

Fターム (55件)：

5F003AZ03 , 5F003BA25 , 5F003BA27 , 5F003BH06 , 5F003BH18 , 5F003BJ12 , 5F003BJ15 , 5F003BJ18 , 5F032AA06 , 5F032AA07 , 5F032AA10 , 5F032AA47 , 5F032AA63 , 5F032BB01 , 5F032BB04 , 5F032CA15 , 5F032CA17 , 5F032CA18 , 5F032CA20 , 5F032DA02 , 5F032DA23 , 5F032DA24 , 5F032DA25 , 5F032DA28 , 5F032DA33 , 5F032DA45 , 5F032DA53 , 5F032DA71 , 5F038AC03 , 5F038AC05 , 5F038AC10 , 5F038AC14 , 5F038AC15 , 5F038AC19 , 5F038EZ05 , 5F038EZ06 , 5F038EZ20 , 5F048AA10 , 5F048AC05 , 5F048AC10 , 5F048BA16 , 5F048BG05 , 5F048BG14 , 5F048CA03 , 5F048CA04 , 5F048CA07 , 5F082AA08 , 5F082AA33 , 5F082BA06 , 5F082BC01 , 5F082BC11 , 5F082BC13 , 5F082CA01 , 5F082EA12 , 5F082EA31

引用特許：

審査官引用 (9件)

SOI半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-013130 出願人：富士電機株式会社
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-180950 出願人：日産自動車株式会社
特開平2-002160

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