特許
J-GLOBAL ID：200903080100325542

レジスト組成物およびレジストパターン形成方法

発明者：
本池 直人

本池 直人 について

, 
林 智彦

林 智彦 について

, 
柿野谷 泰彦

柿野谷 泰彦 について


出願人/特許権者：
東京応化工業株式会社

東京応化工業株式会社 について


代理人 (4件)： 棚井 澄雄 ,  志賀 正武 ,  鈴木 三義 ,  柳井 則子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-077989
公開番号（公開出願番号）：特開2009-230026
出願日： 2008年03月25日
公開日（公表日）： 2009年10月08日
要約：
【課題】良好な形状のレジストパターンを形成できるレジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分(A)、および放射線の照射により酸を発生する酸発生剤成分(B)を含有するレジスト組成物であって、前記酸発生剤成分(B)が、下記一般式(b1)で表される酸発生剤(B1)と、下記一般式(b2)で表される酸発生剤(B2)とを含有することを特徴とするレジスト組成物。 [化1]【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分(A)、および放射線の照射により酸を発生する酸発生剤成分(B)を含有するレジスト組成物であって、 前記酸発生剤成分(B)が、下記一般式(b1)で表される酸発生剤(B1)と、下記一般式(b2)で表される酸発生剤(B2)とを含有することを特徴とするレジスト組成物。
IPC (4件)：
G03F 7/004 ,  G03F 7/039 ,  H01L 21/027 ,  C08F 220/28
FI (4件)：
G03F7/004 503A ,  G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R ,  C08F220/28
Fターム (26件)：
2H025AA04 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC05 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE07 ,  2H025BF02 ,  2H025BG00 ,  2H025DA01 ,  2H025FA01 ,  2H025FA10 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100BA03R ,  4J100BC04P ,  4J100BC09P ,  4J100BC09R ,  4J100BC53Q ,  4J100CA05 ,  4J100DA04 ,  4J100JA38
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (3件)

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