プリント配線板の処理方法及びプリント配線板の処理装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：西川惠清 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-171105
公開番号（公開出願番号）：特開2002-368389
出願日： 2001年06月06日
公開日（公表日）： 2002年12月20日
要約：

【要約】【課題】レジスト膜の開口部から露出する導体回路の表面を均一に処理して汚染物質を十分に除去することができ、また、装置が大掛かりになることがなく、さらに、効率よく処理を行う。【解決手段】表面に導体回路25を設けたプリント配線板14にレジスト膜26を形成すると共にレジスト膜26に開口部2を設けて導体回路25を露出させる。導体回路25の露出部分25aにプラズマ処理した後にめっき処理を施すプリント配線板の処理方法に関する。片側が吹き出し口4として開放された反応容器5内にプラズマ生成用ガスを導入する。大気圧近傍の圧力下で反応容器5内にプラズマ6を生成する。このプラズマ6をプラズマジェットとして吹き出し口4から吹き出して導体回路25の露出部分25aに吹き付ける。

請求項（抜粋）：

表面に導体回路を設けたプリント配線板にレジスト膜を形成すると共にレジスト膜に開口部を設けて導体回路を露出させ、導体回路の露出部分にプラズマ処理した後にめっき処理を施すプリント配線板の処理方法において、片側が吹き出し口として開放された反応容器内にプラズマ生成用ガスを導入し、大気圧近傍の圧力下で反応容器内にプラズマを生成し、このプラズマをプラズマジェットとして吹き出し口から吹き出して導体回路の露出部分に吹き付けることを特徴とするプリント配線板の処理方法。

IPC (7件)：

H05K 3/26 , B01J 19/08 , G03F 7/40 521 , H05H 1/24 , H05K 3/24 , H05K 3/28 , H05K 3/42 610

FI (7件)：

H05K 3/26 F , B01J 19/08 H , G03F 7/40 521 , H05H 1/24 , H05K 3/24 D , H05K 3/28 B , H05K 3/42 610 A

Fターム (49件)：

2H096AA26 , 2H096BA05 , 2H096BA06 , 2H096EA02 , 2H096HA27 , 2H096HA30 , 2H096JA04 , 4G075AA30 , 4G075BC06 , 4G075CA47 , 4G075CA62 , 4G075CA63 , 4G075EB41 , 5E314AA32 , 5E314AA33 , 5E314BB06 , 5E314BB11 , 5E314BB12 , 5E314FF01 , 5E314GG11 , 5E317AA01 , 5E317BB01 , 5E317BB12 , 5E317BB13 , 5E317BB15 , 5E317CC31 , 5E317CC52 , 5E317CD01 , 5E317CD25 , 5E317CD27 , 5E317CD34 , 5E317GG03 , 5E317GG09 , 5E343AA02 , 5E343AA07 , 5E343AA11 , 5E343BB08 , 5E343BB17 , 5E343BB23 , 5E343BB24 , 5E343BB44 , 5E343BB71 , 5E343DD43 , 5E343EE08 , 5E343EE13 , 5E343EE36 , 5E343EE46 , 5E343FF23 , 5E343GG01

引用特許：

審査官引用 (5件)

プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-303117 出願人：松下電工株式会社, 岡崎幸子, 小駒益弘
多層プリント配線板および半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-266932 出願人：イビデン株式会社
はんだ付け用処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-119332 出願人：株式会社タムラ製作所, 大同特殊鋼株式会社

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