特許
J-GLOBAL ID：200903080206813198
パターン露光方法とこれに用いる処理装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-084313
公開番号（公開出願番号）：特開2000-277426
出願日： 1999年03月26日
公開日（公表日）： 2000年10月06日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 密度の異なるパターンを、プロセス裕度を確保しながら、共に高解像度をもってパターン露光する。【解決手段】 パターンデータ入力部11と、パターンデータに基いて同一密度のパターンを検出するパターン検出部12と、パターン検出部からの各検出パターンについて露光に係わる条件を用いて露光シミュレーションを行うプロセシングシミュレーション手段14と、これにより露光作業の条件設定を行う条件設定手段15と、最小裕度のパターンを判定する判定部16と、この判定部16によって判定された最小裕度のパターンと該パターン以外のパターンについて露光に係わる条件に関する組み合わせ計算を行い、裕度が最大となるマスクバイアスを作用させるマスクバイアス作用部17と、出力部18とを有し、目的とする露光パターンを、ほぼ同一密度のパターン部分に分割抽出する作業を経るという工程を採ることによって、高解像度をもってパターン露光する。
請求項（抜粋）：
目的とする露光パターンが、一様性でないパターン密度、パターン形状を有するパターン露光に当たり、上記目的とする露光パターンを、ほぼ同一密度、同一形状のパターン部分に分割抽出する作業工程を経ることを特徴とするパターン露光方法。
IPC (2件)：
H01L 21/027
, G03F 7/20 521
H01L 21/30 516 D
, G03F 7/20 521
5F046AA13
, 5F046DA02
, 5F046DA30
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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