特許
J-GLOBAL ID：200903080397270520

ビームホモジナイザ及びレーザ照射装置、並びに半導体装置の作製方法

発明者：
田中 幸一郎

田中 幸一郎 について

, 
森若 智昭

森若 智昭 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-129438
公開番号（公開出願番号）：特開2005-129889
出願日： 2004年04月26日
公開日（公表日）： 2005年05月19日
要約：
【課題】 高い製作精度が要求される光学レンズを用いることなく、長辺方向のエネルギー分布が均一な長方形状のビームスポットを被照射面において形成することが可能なビームホモジナイザを提供する。また、長辺方向のエネルギー分布が均一な長方形状のビームスポットを有するレーザ光を照射することが可能なレーザ照射装置を提供する。さらには、基板面内の結晶性の均一性を向上させ、動作特性の高いTFTを生産することが可能な半導体装置の作製方法を提供する。【解決手段】 本発明の一つであるビームホモジナイザは、被照射面におけるビームスポットをアスペクト比が10以上、好ましくは100以上の長方形状とするものであって、前記長方形状の長辺方向のエネルギー分布を均一化する光導波路を有することを特徴とする。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
被照射面に形成されるビームスポットの一方向におけるエネルギー分布を均一化する光学系を有し、 前記ビームスポットは長方形状であり、 前記一方向は、前記長方形状の長辺方向であり、 前記光学系は、一方の端面からレーザビームを入射させ、他方の端面から前記レーザビームを射出する、向かい合う2つの反射面を具備する光導波路を有することを特徴とするビームホモジナイザ。
IPC (5件)：
H01L21/268 ,  G02B19/00 ,  G02F1/1345 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/20
FI (5件)：
H01L21/268 J ,  G02B19/00 ,  G02F1/1345 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/20
Fターム (23件)：
2H052BA03 ,  2H052BA09 ,  2H052BA12 ,  2H092GA59 ,  2H092JA24 ,  2H092KA04 ,  2H092MA30 ,  2H092MA35 ,  2H092NA21 ,  2H092NA24 ,  2H092PA07 ,  2H092PA13 ,  5F052AA02 ,  5F052BA04 ,  5F052BA07 ,  5F052BB01 ,  5F052BB02 ,  5F052BB07 ,  5F052CA07 ,  5F052DA02 ,  5F052DA03 ,  5F052DB03 ,  5F052JA01
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • レーザー照射装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-069394   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
審査官引用 (7件)
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