特許
J-GLOBAL ID:200903080413366800
半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び片面封止型半導体装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
西川 惠清 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-373141
公開番号(公開出願番号):特開2003-286328
出願日: 2002年12月24日
公開日(公表日): 2003年10月10日
要約:
【要約】【課題】 エアーベントに流れ出す樹脂によって基板の表面の外部接続端子を被覆するようなおそれなく、トランスファー成形で封止成形を行なうことができる半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供する。【解決手段】 エポキシ樹脂、硬化剤、無機充填剤、硬化促進剤を必須成分として含有し、半導体素子が搭載された基板2の片面にトランスファー成形で封止成形するために用いられる半導体封止用エポキシ樹脂組成物に関する。トランスファー成形金型13に形成された幅0.75mm、厚さ0.03mmのエアーベント20からトランスファー成形の際に流出する長さが1mm以下であり、且つ170°Cでのゲルタイムが8秒〜30秒であることを特徴とする。
請求項(抜粋):
エポキシ樹脂、硬化剤、無機充填剤、硬化促進剤を必須成分として含有し、半導体素子が搭載された基板の片面にトランスファー成形で封止成形するために用いられる半導体封止用エポキシ樹脂組成物であって、トランスファー成形金型に形成された幅0.75mm、厚さ0.03mmのエアーベントにトランスファー成形の際に流出する長さが1mm以下であり、且つ170°Cでのゲルタイムが8秒〜30秒であることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
IPC (10件):
C08G 59/20
, B29C 45/14
, B29C 45/34
, C08G 59/62
, C08L 63/00
, H01L 23/29
, H01L 23/31
, B29K 63:00
, B29K105:16
, B29L 31:34
FI (9件):
C08G 59/20
, B29C 45/14
, B29C 45/34
, C08G 59/62
, C08L 63/00 Z
, B29K 63:00
, B29K105:16
, B29L 31:34
, H01L 23/30 R
Fターム (65件):
4F202AA39C
, 4F202AA39D
, 4F202AB03
, 4F202AB11
, 4F202AB16
, 4F202AH37
, 4F202AR12
, 4F202CA12
, 4F202CB01
, 4F202CP01
, 4F202CP05
, 4F206AA39C
, 4F206AA39D
, 4F206AB03
, 4F206AB11
, 4F206AB16
, 4F206AH37
, 4F206AR12
, 4F206JA02
, 4F206JF01
, 4F206JN26
, 4J002CC04X
, 4J002CC05X
, 4J002CC06X
, 4J002CC12X
, 4J002CC27X
, 4J002CD02W
, 4J002CD05W
, 4J002CD06W
, 4J002CD07W
, 4J002DE147
, 4J002DF017
, 4J002DJ007
, 4J002DJ017
, 4J002EU116
, 4J002FD017
, 4J002FD090
, 4J002FD14X
, 4J002FD156
, 4J002GQ01
, 4J002GQ05
, 4J036AA01
, 4J036AC02
, 4J036AD01
, 4J036AD07
, 4J036AF07
, 4J036AJ05
, 4J036AK02
, 4J036DB06
, 4J036DC40
, 4J036DC41
, 4J036FB06
, 4J036FB07
, 4J036FB08
, 4J036HA13
, 4J036JA07
, 4M109AA01
, 4M109BA01
, 4M109CA21
, 4M109EA02
, 4M109EB02
, 4M109EB04
, 4M109EB12
, 4M109EC04
, 4M109EC20
引用特許:
出願人引用 (2件)
審査官引用 (7件)
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