特許
J-GLOBAL ID：200903080431584033

レーザエッチング方法及びレーザエッチング装置

発明者：
小出 純

小出 純 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (1件)： 長尾 達也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-360613
公開番号（公開出願番号）：特開2001-219290
出願日： 2000年11月28日
公開日（公表日）： 2001年08月14日
要約：
【要約】【課題】無機材料からなる被加工物のレーザエッチングにおいて、エッチング位置周辺に加工副産物が付着しないように加工することができ、さらにはマイクロマシン、またはICおよびダイオードデバイス等の材料を微細加工することができるレーザエッチング方法及びレーザエッチング装置を提供する。【解決手段】フェムト秒レーザから放射されたレーザ光を、前記無機材料からなる被加工物に照射することによって、光アブレーション加工するレーザエッチング方法または装置であって、前記レーザ発振器から放射されたレーザ光を、所定のパターン、所定エネルギー密度にて、前記無機材料からなる被加工物に照射して前記被加工物をレーザエッチングするに際し、エッチング位置周辺に加工副産物が付着しないようにして加工する。
請求項（抜粋）：
1ピコ秒以下のパルス放射時間で空間的時間的なエネルギー密度の大きい光パルスを連続放射するレーザ発振器からのレーザ光を、無機材料からなる被加工物に照射することによって、光アブレーション加工するレーザエッチング方法であって、前記レーザ発振器から放射されたレーザ光を、所定のパターン、所定エネルギー密度にて、前記無機材料からなる被加工物に照射して前記被加工物をレーザエッチングするに際し、エッチング位置周辺に加工副産物が付着しないようにする手段を用いて加工することを特徴とするレーザエッチング方法。
IPC (4件)：
B23K 26/16 ,  B23K 26/12 ,  B23K 26/14 ,  H01S 3/00
FI (4件)：
B23K 26/16 ,  B23K 26/12 ,  B23K 26/14 A ,  H01S 3/00 B
Fターム (13件)：
4E068AH00 ,  4E068CA03 ,  4E068CG01 ,  4E068CG05 ,  4E068CH08 ,  4E068CJ01 ,  4E068CJ07 ,  4E068CJ09 ,  5F072AA05 ,  5F072JJ20 ,  5F072RR01 ,  5F072SS08 ,  5F072YY08
引用特許：
審査官引用 (9件)
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