特許
J-GLOBAL ID：200903080460437295

窒化物半導体基板、及びその成長方法

発明者：
森田 大介

森田 大介 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-117910
公開番号（公開出願番号）：特開2002-313739
出願日： 2001年04月17日
公開日（公表日）： 2002年10月25日
要約：
【要約】【課題】基板上に窒化物半導体を厚膜成長が可能であり、貫通転位を低減させた窒化物半導体基板を提供する。【解決手段】基板上に窒化物半導体を成長させる方法であって、窒化物半導体内に成長界面を少なくとも2つ有することにより基板と窒化物半導体との応力差を緩和させる。
請求項（抜粋）：
基板上に窒化物半導体を成長させた窒化物半導体基板であって、基板上の窒化物半導体にクレーター、又は凸型の斜面を有する成長界面を少なくとも2つ備えた窒化物半導体基板。
IPC (6件)：
H01L 21/205 ,  C30B 25/02 ,  C30B 29/38 ,  H01L 29/43 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323 610
FI (6件)：
H01L 21/205 ,  C30B 25/02 Z ,  C30B 29/38 D ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/323 610 ,  H01L 29/46 G
Fターム (56件)：
4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4G077EE05 ,  4G077EF03 ,  4G077TB03 ,  4G077TC14 ,  4M104AA04 ,  4M104AA09 ,  4M104BB05 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104DD23 ,  4M104EE06 ,  4M104FF13 ,  4M104GG04 ,  5F041AA40 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F045AA02 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045BB12 ,  5F045CA11 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA63 ,  5F073AA11 ,  5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA51 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073DA05 ,  5F073DA35 ,  5F073EA29
引用特許：
審査官引用 (5件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM