特許
J-GLOBAL ID：200903080583224113
エネルギビーム加工方法,透明導電膜付きガラス基板及び半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
河野 登夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-207466
公開番号（公開出願番号）：特開2002-026350
出願日： 2000年07月07日
公開日（公表日）： 2002年01月25日
要約：
【要約】【課題】 透明導電膜にエネルギビーム照射による加工処理を施しても強化ガラス板の強度が損なわれないエネルギビーム加工方法を提供する。【解決手段】 強化ガラス板1の表面に絶縁膜としてのSiO2 膜2(厚さ:1000Å)を形成する(a)。このSiO2 膜2の表面に、透明導電膜としてのZnO膜3(厚さ:8000Å)を形成して、透明導電膜付きガラス基板10を得る(b)。エネルギビームとしてのレーザ光を透明導電膜付きガラス基板10に照射して、ZnO膜3の所望の複数の領域をパターンエッチングする(c)。レーザ光の照射時に発生した熱の伝わりがSiO2 膜2にて抑制され、強化ガラス板1はガラス溶融点に近い温度にまで達せず、強化処理の効果を持続して、十分な強度を維持する。
請求項（抜粋）：
強化処理が施されたガラス板に、該ガラス板の軟化点以下の温度で絶縁膜を形成する工程と、形成した絶縁膜に、前記ガラス板の軟化点以下の温度で透明導電膜を形成して透明導電膜付きガラス基板を得る工程と、得た透明導電膜付きガラス基板にエネルギビームを照射して前記透明導電膜を加工する工程とを有することを特徴とするエネルギビーム加工方法。
IPC (5件)：
H01L 31/04
, H01B 5/14
, H01B 13/00 503
, H01L 21/302
, H01S 3/00
H01B 5/14 A
, H01B 13/00 503 B
, H01S 3/00 B
, H01L 31/04 M
, H01L 21/302 Z
5F004AA06
, 5F004BA20
, 5F004BB03
, 5F004BB18
, 5F004EA38
, 5F004EB02
, 5F051AA05
, 5F051CB13
, 5F051CB24
, 5F051CB27
, 5F051FA02
, 5F051GA03
, 5F051GA06
, 5F072AB02
, 5F072MM20
, 5F072RR01
, 5F072YY06
, 5G307FA01
, 5G307FB01
, 5G307FC03
, 5G323BA02
, 5G323BB05
, 5G323BC03
