特許
J-GLOBAL ID：200903080658701249

反応炉の排出パイプ内における物質の沈着を低減する方法および装置

発明者：
グ,ユーファン

グ,ユーファン について


出願人/特許権者：
エムケイエス インストルーメンツ,インコーポレイテッド

エムケイエス インストルーメンツ,インコーポレイテッド について


代理人 (1件)： 佐々木 功 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-531042
公開番号（公開出願番号）：特表2002-501671
出願日： 1998年01月08日
公開日（公表日）： 2002年01月15日
要約：
【要約】反応炉よりも下流のパイプ内(52、58)に重合TEOS(テトラエトキシシラン)分子が沈着したり分子鎖が形成されるのを阻止する装置であって、上記のパイプ内に配置された環状ノズル集合体を包含しており、該環状ノズル集合体と上記のパイプとの間に高圧がもたらされるように且つ反応炉(21)からの溶離液を導通する中空環状導管を上記の環状ノズル集合体が形成するようになされている装置。環状ノズル集合体は中空の、一般的には筒状の3つの区画、即ち上流に配置されたカラー(22)と、下流に配置されたスペーサ・リング(24)と、上記のカラーとスペーサ・リングとの間に配置された中間区画(26)とを包含しているのが好ましい。環状ノズル集合体はその内面にガス境界層乃至移動仮想壁を形成して、TEOSガス分子及び水蒸気分子が環状ノズル集合体の内壁に吸収されたり、該内壁上に存在する状態になるのを阻止する。
請求項（抜粋）：
空間を取り巻く内面を備えた管状の壁を有し、第1の流体が空間の中に流れる時に通る吸入開口部と第1の流体が空間から流出する時に通る排出開口部を有する長手の導管と; 吸入開口部と排出開口部との間の内面に隣接して位置し、該排出開口部に向かって長手方向に向いたノズルと; 該ノズルに接続した該導管の外側に位置する第2の流体源とを備えた、 流れる流体を導くための装置。
IPC (4件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/455 ,  F16L 55/00 ,  H01L 21/3065
FI (4件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/455 ,  H01L 21/302 B ,  F16L 55/00 G
引用特許：
審査官引用 (7件)
  • 半導体製造装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-287369   出願人：ソニー株式会社
  • 気相成長装置およびその気相成長方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-005345   出願人：シャープ株式会社
  • 特開平4-010617
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