特許

J-GLOBAL ID：200903080685686502

トランジスタの製造方法、トランジスタ、半導体集積回路、表示装置

発明者： 安部 大介 ,  木村 睦
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (3件)： 渡邊 隆 ,  志賀 正武 ,  実広 信哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-002204
公開番号（公開出願番号）：特開2004-214546
出願日： 2003年01月08日
公開日（公表日）： 2004年07月29日
要約：

【課題】低温プロセスによって良好な電気的特性を有するトランジスタを製造する。【解決手段】基板10上に、金属膜又は半導体膜を含む第1の界面改質膜11を形成し、この第1の界面改質膜11の上に絶縁膜12,半導体膜13を順に形成する。そして、熱処理により絶縁膜12中に浸透したガスの分解を促し、生成された水素ラジカル等により半導体膜13の裏面側界面(ゲート絶縁膜15と反対側の界面)に存在するダングリングボンドを終端することで、界面準位密度を低減する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板に、金属膜又は半導体膜を含む第1の界面改質膜を形成する工程と、 上記第1の界面改質膜の上に第1の絶縁膜を形成する工程と、 上記第1の絶縁膜の上に半導体膜を形成する工程と、 上記半導体膜の上に第2の絶縁膜を形成する工程とを備え、 上記半導体膜を形成する工程以降に熱処理を行なうことを特徴とする、トランジスタの製造方法。

IPC (6件)：

H01L21/336 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/20 ,  H01L29/786 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14

FI (9件)：

H01L29/78 627E ,  G02F1/1368 ,  H01L21/20 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14 A ,  H01L29/78 626C ,  H01L29/78 617J ,  H01L29/78 617N ,  H01L29/78 627G

Fターム (117件)：

2H092GA29 ,  2H092HA14 ,  2H092JA24 ,  2H092JA25 ,  2H092JA26 ,  2H092JA46 ,  2H092JB56 ,  2H092KA03 ,  2H092KA04 ,  2H092KA18 ,  2H092KB04 ,  2H092KB24 ,  2H092KB25 ,  2H092MA08 ,  2H092MA27 ,  2H092MA30 ,  2H092NA24 ,  3K007AB05 ,  3K007DB03 ,  3K007GA00 ,  5F052AA02 ,  5F052AA11 ,  5F052AA17 ,  5F052BA02 ,  5F052BA07 ,  5F052BB01 ,  5F052BB02 ,  5F052BB07 ,  5F052CA07 ,  5F052DA01 ,  5F052DA02 ,  5F052DA03 ,  5F052DA04 ,  5F052DA05 ,  5F052DA06 ,  5F052DA10 ,  5F052DB01 ,  5F052DB02 ,  5F052DB03 ,  5F052DB04 ,  5F052DB07 ,  5F052EA13 ,  5F052JA01 ,  5F052JA03 ,  5F110AA12 ,  5F110AA17 ,  5F110AA28 ,  5F110BB01 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110CC08 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE08 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE30 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF02 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110FF32 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG04 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ02 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL03 ,  5F110HL07 ,  5F110HL22 ,  5F110HL23 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN25 ,  5F110NN35 ,  5F110NN62 ,  5F110NN63 ,  5F110NN65 ,  5F110NN66 ,  5F110NN72 ,  5F110PP01 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP05 ,  5F110PP06 ,  5F110PP10 ,  5F110PP27 ,  5F110PP29 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ23

引用特許：

審査官引用 (7件)

• 非単結晶シリコン薄膜トランジスタの動作方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-158029   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所, ティーディーケイ株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-102472   出願人：シャープ株式会社
• シリコン酸化膜の製造方法、および薄膜トランジスタの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-303386   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-053206   出願人：富士ゼロックス株式会社
• 薄膜トランジスタ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-101929   出願人：松下電器産業株式会社
• 半導体装置および半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-265426   出願人：三洋電機株式会社
• 特開平4-212410