特許
J-GLOBAL ID：200903080890692582

真空蒸着方法および真空蒸着装置

発明者：
生田 浩之

生田 浩之 について

, 
鈴木 和人

鈴木 和人 について


出願人/特許権者：
日立造船株式会社

日立造船株式会社 について


代理人 (4件)： 板垣 孝夫 ,  森本 義弘 ,  笹原 敏司 ,  原田 洋平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-046070
公開番号（公開出願番号）：特開2007-224354
出願日： 2006年02月23日
公開日（公表日）： 2007年09月06日
要約：
【課題】蒸発源の材料の減少に伴って蒸発流の密度分布の勾配が大きくなっても、均一な膜厚を形成できる。【解決手段】真空蒸着室11内で、蒸発源1の材料を加熱して気化し、蒸発源1の上方に配置された基板3の被蒸着面3aに蒸着する時に、蒸発源1から放出された蒸発流の密度分布を複数の水晶振動子15A〜15Cを介して膜厚センサ15で検出し、膜厚制御装置21により、前記密度分布の勾配が大きくなった時に、前記密度分布の勾配に応じて、鉛直距離調整装置14により蒸発源1と被蒸着面3aとの距離を増大させ、蒸発流の密度分布の均一性が低下することを抑制する。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
真空環境下で、蒸発源の材料を加熱して気化し、蒸発源の上方に配置された被蒸着部材の被蒸着面に蒸着するに際し、 前記蒸発源から蒸発される蒸発流の密度分布を検出し、 検出された蒸発流の密度分布の勾配が大きくなった時に、当該蒸発流の密度分布の勾配に応じて、被蒸着面と蒸発源とを離間させて被蒸着面の範囲内の膜厚均一性の低下を抑制する 真空蒸着方法。
IPC (4件)：
C23C 14/24 ,  H01L 21/285 ,  H05B 33/10 ,  H01L 51/50
FI (5件)：
C23C14/24 U ,  H01L21/285 P ,  H05B33/10 ,  H05B33/14 A ,  C23C14/24 C
Fターム (12件)：
3K107AA01 ,  3K107GG04 ,  3K107GG32 ,  4K029BA62 ,  4K029CA01 ,  4K029DB06 ,  4K029DB11 ,  4K029EA01 ,  4K029EA07 ,  4M104BB02 ,  4M104DD34 ,  4M104HH20
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (1件)

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