特許
J-GLOBAL ID：200903080894670915

半導体集積回路とその設計方法ならびに配線の修正方法

発明者：
穂積 政俊

穂積 政俊 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 高橋 詔男 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-047211
公開番号（公開出願番号）：特開2000-252360
出願日： 1999年02月24日
公開日（公表日）： 2000年09月14日
要約：
【要約】【課題】 論理変更を行う際に配線パターン変更を行う層の数を極力少なくし、製造コストの高騰、設計変更に要する時間や労力の増大、製品特性の劣化等の問題が生じることのないダミー配線を備えた半導体集積回路を提供する。【解決手段】 本半導体集積回路は、複数のセルA、B、Cと、信号配線G、Hと、複数のセル間の配線領域上およびセル上にわたって配置され、スルーホールを介して互いに接続された複数の配線層からなるダミー配線Iとを有している。ダミー配線Iは、第1アルミ配線1、9、第2アルミ配線3、7、第3アルミ配線5と、これらアルミ配線間を接続する第1スルーホール2、8、第2スルーホール4、6から構成され、その両端がグランド配線D、Eにそれぞれ接続されている。
請求項（抜粋）：
複数の基本セルと、該複数の基本セルの端子同士を接続する信号配線と、前記複数の基本セル間の配線領域上および前記基本セル上にわたって配置され、スルーホールを介して互いに接続された複数の配線層からなるダミー配線とを有することを特徴とする半導体集積回路。
IPC (2件)：
H01L 21/82 ,  G06F 17/50
FI (3件)：
H01L 21/82 W ,  G06F 15/60 658 J ,  G06F 15/60 658 R
Fターム (14件)：
5B046AA08 ,  5B046BA06 ,  5F064BB35 ,  5F064DD25 ,  5F064EE16 ,  5F064EE17 ,  5F064EE23 ,  5F064EE26 ,  5F064EE27 ,  5F064EE33 ,  5F064EE52 ,  5F064EE60 ,  5F064FF01 ,  5F064FF48
引用特許：
審査官引用 (9件)
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-345092   出願人：日本電気株式会社
  • 半導体集積回路装置及びその論理修正方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-263358   出願人：株式会社日立製作所
  • 半導体集積回路装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-290984   出願人：株式会社日立製作所
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