特許
J-GLOBAL ID:200903080938081211
半導体基板製造装置
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
熊谷 隆 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-050916
公開番号(公開出願番号):特開2002-190455
出願日: 2001年02月26日
公開日(公表日): 2002年07月05日
要約:
【要約】【課題】 装置のイニシャルコスト、ランニングコストを低くでき、広い設置スペースを必要とせず、短い処理時間で回路配線を形成できる半導体基板製造装置を提供すること。【解決手段】 表面に配線パターン用の溝及び/穴が形成されその上にバリア層及び給電シード層が順次形成された半導体基板を乾燥状態で搬出入するロードアンロード部1、搬入された半導体基板にCuめっき膜層を電解めっきで形成すCuめっき膜成膜ユニット2、Cuめっき膜層が形成された半導体基板の該溝及び/穴に充填された部分を残して金属めっき膜層、給電シード層及びバリア層を研磨除去するポリッシング装置10、11、各層が除去された半導体基板を洗浄し乾燥させる第1、第2、第3洗浄機9、7、4と、半導体基板を各部間を移送する第1、第2ロボット3、8を具備する半導体基板製造装置。
請求項(抜粋):
表面に回路が形成された半導体基板を乾燥状態で搬出入する搬出入部と、搬入された半導体基板上に金属めっき膜を形成する金属めっき膜成膜ユニットと、前記半導体基板上の該金属めっき膜の少なくとも一部を研磨するポリッシングユニットと、研磨された前記半導体基板を前記ユニット間で搬送する搬送機構を具備することを特徴とする半導体基板製造装置。
IPC (7件):
H01L 21/288
, C23C 18/16
, C23C 30/00
, C25D 7/12
, C25D 19/00
, H01L 21/28 301
, H01L 21/3205
FI (7件):
H01L 21/288 E
, C23C 18/16 B
, C23C 30/00 B
, C25D 7/12
, C25D 19/00 B
, H01L 21/28 301 Z
, H01L 21/88 K
Fターム (37件):
4K022AA05
, 4K022BA28
, 4K022BA31
, 4K022DA01
, 4K024AA09
, 4K024AB01
, 4K024BA15
, 4K024BB12
, 4K024CB09
, 4K024CB15
, 4K024CB21
, 4K024DA04
, 4K024DB01
, 4K044AA13
, 4K044AB10
, 4K044BA01
, 4K044BA11
, 4K044BB01
, 4K044BC14
, 4M104BB30
, 4M104DD52
, 4M104HH20
, 5F033HH11
, 5F033HH33
, 5F033JJ01
, 5F033JJ11
, 5F033JJ33
, 5F033KK00
, 5F033MM12
, 5F033MM13
, 5F033NN06
, 5F033NN07
, 5F033PP27
, 5F033QQ48
, 5F033RR04
, 5F033XX34
, 5F033XX35
引用特許:
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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