めっき方法およびめっき装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-372817
公開番号（公開出願番号）：特開2000-195823
出願日： 1998年12月28日
公開日（公表日）： 2000年07月14日
要約：

【要約】【課題】電気めっき法を用いて半導体ウェハ上にめっき層を形成する方法において、ウェハ外周部のめっき層厚さがウェハ内側のめっき層より薄く、かつウェハの広い面積において均一な厚さのめっき層を形成する。【解決手段】本発明では、図1のようなめっき装置を用い、対向するアノード電極1とウェハ(カソード電極)2の間に取り付けられた外周が絶縁壁5に接しかつ孔をもつ電流遮蔽板31〜33の穴径及び設置位置を変化させ、電極4がウェハ外周部と接しているために起こるウェハ面外周部への電流集中を電流遮蔽板31により抑制し、かつ電流遮蔽板32,33により外周部を除いた部分の膜厚分布が均一になる。

請求項（抜粋）：

半導体ウェハ上に形成された導電性薄膜に半導体ウェハ外周部から給電してカソード電極とする電気めっき法において、めっき処理された半導体ウェハの外周部めっき層厚さがウェハ内側のめっき層厚さより薄くなるようにめっきすることを特徴とするめっき方法。

IPC (6件)：

H01L 21/288 , C25D 3/38 101 , C25D 7/12 , C25D 17/10 , C25D 21/12 , H01L 21/3205

FI (6件)：

H01L 21/288 E , C25D 3/38 101 , C25D 7/12 , C25D 17/10 A , C25D 21/12 A , H01L 21/88 K

Fターム (17件)：

4K023AA19 , 4K023BA06 , 4K024AA09 , 4K024BB12 , 4K024CB01 , 4K024CB21 , 4K024GA02 , 4M104BB04 , 4M104DD37 , 4M104DD52 , 4M104HH20 , 5F033HH11 , 5F033MM01 , 5F033PP15 , 5F033PP27 , 5F033QQ48 , 5F033XX35

引用特許：

審査官引用 (13件)

カップ式めっき装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-215027 出願人：日本エレクトロプレイテイング・エンジニヤース株式会社
特開平4-280992
ウェハメッキ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-319026 出願人：株式会社東芝

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