特許
J-GLOBAL ID：200903094781299359
SOI基板の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
須田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-091061
公開番号（公開出願番号）：特開平11-288895
出願日： 1998年04月03日
公開日（公表日）： 1999年10月19日
要約：
【要約】【課題】 半導体層が酸化膜を介して半導体基板上に重ね合わされているSOI基板において、酸化膜の膜質及び半導体層と酸化膜との界面の特性を向上させる。【解決手段】 第1半導体基板11の表面から水素イオンを注入してその内部にイオン注入領域11aを形成する。第2半導体基板12の表面に酸化膜13を形成する。第1半導体基板11を上記イオン注入面が酸化膜13に対向するように第2半導体基板に重ね合わせて密着させる。第1半導体基板を第2半導体基板に密着させたまま熱処理して第1半導体基板をイオン注入領域11aで第2半導体基板から分離して第2半導体基板の表面に半導体層11bを形成する。表面に半導体層11bを有する第2半導体基板を更に熱処理する。
請求項（抜粋）：
第1半導体基板(11)の表面から水素イオンを注入して前記第1半導体基板(11)内部にイオン注入領域(11a)を形成する工程と、第2半導体基板(12)の表面に酸化膜(13)を形成する工程と、前記第1半導体基板(11)を前記イオン注入面が前記酸化膜(13)に対向するように前記第2半導体基板(12)に重ね合わせて密着させる工程と、前記第1半導体基板(11)を第2半導体基板(12)に密着させたまま所定の温度で熱処理して前記第1半導体基板(11)を前記イオン注入した領域(11a)で前記第2半導体基板(12)から分離して前記第2半導体基板(12)の表面に半導体層(11b)を形成する工程と、表面に半導体層(11b)を有する前記第2半導体基板(12)を更に熱処理する工程とを含むSOI基板の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/265 Q
, H01L 27/12 B
