特許
J-GLOBAL ID：200903081406336781
膜形成用組成物および絶縁膜形成用材料
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-360291
公開番号（公開出願番号）：特開2001-172565
出願日： 1999年12月20日
公開日（公表日）： 2001年06月26日
要約：
【要約】【課題】 半導体素子などにおける層間絶縁膜材料として、塗膜の機械的特性やクラック耐性、溶液の保存安定性に優れ、かつ低い比誘電率を示す膜形成用組成物を得る。【解決手段】 (A)(A-1)下記一般式(1)で表される化合物およびR1aSi(OR2)4-a ・・・・・(1)(R1は水素原子、フッ素原子または1価の有機基を示し、R2は1価の有機基を示し、aは0〜2の整数を表す。)(A-2)下記一般式(2) で表される化合物 R3b(R4O)3-bSi-(R7)d-Si(OR5)3-cR6c ・・・(2)(R3,R4,R5およびR6は、同一でも異なっていてもよく、それぞれ1価の有機基を示し、bおよびcは、同一でも異なっていてもよく、0〜2の数を示し、R7は酸素原子または-(CH2)n-で表される基を示し、nは1〜6を、dは0または1を示す。)からなる群より選ばれる少なくとも1種の化合物を上記(A-1)成分および(A-2)成分中のアルコキシル基1モルに対して0.00001〜0.001モルの有機酸と上記(A-1)成分おおよび(A-2)成分中のアルコキシル基1モルに対して0.8〜2.5モルの水との存在下で加水分解し、縮合した加水分解縮合物ならびに(B)有機溶媒を含有することを特徴とする膜形成用組成物。
請求項（抜粋）：
(A)(A-1)下記一般式(1)で表される化合物およびR1aSi(OR2)4-a ・・・・・(1)(R1は水素原子、フッ素原子または1価の有機基を示し、R2は1価の有機基を示し、aは0〜2の整数を表す。)(A-2)下記一般式(2) で表される化合物 R3b(R4O)3-bSi-(R7)d-Si(OR5)3-cR6c ・・・(2)(R3,R4,R5およびR6は、同一でも異なっていてもよく、それぞれ1価の有機基を示し、bおよびcは、同一でも異なっていてもよく、0〜2の数を示し、R7は酸素原子または-(CH2)n-で表される基を示し、nは1〜6を、dは0または1を示す。)からなる群より選ばれる少なくとも1種の化合物を上記(A-1)成分および(A-2)成分中のアルコキシル基1モルに対して0.00001〜0.001モルの有機酸と上記(A-1)成分おおよび(A-2)成分中のアルコキシル基1モルに対して0.8〜2.5モルの水との存在下で加水分解し、縮合した加水分解縮合物ならびに(B)有機溶媒を含有することを特徴とする膜形成用組成物。
IPC (3件)：
C09D183/00
, C09D171/02
, H01L 21/312
C09D183/00
, C09D171/02
, H01L 21/312 C
4J038DF012
, 4J038DF022
, 4J038DF042
, 4J038DL021
, 4J038DL051
, 4J038DL071
, 4J038DL081
, 4J038DL152
, 4J038GA07
, 4J038GA12
, 4J038JA26
, 4J038JA37
, 4J038JA38
, 4J038JA39
, 4J038JA40
, 4J038JA41
, 4J038JA56
, 4J038JA57
, 4J038JA58
, 4J038JC13
, 4J038JC25
, 4J038KA06
, 4J038KA09
, 4J038LA02
, 4J038MA07
, 4J038MA09
, 4J038NA11
, 4J038NA21
, 4J038NA26
, 5F058AA10
, 5F058AC03
, 5F058AF04
, 5F058AG01
, 5F058AH01
, 5F058AH02
