特許
J-GLOBAL ID：200903081466149077

半導体装置の製造方法

発明者：
岩垂 史

岩垂 史 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 菅野 中
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-106508
公開番号（公開出願番号）：特開2000-299324
出願日： 1999年04月14日
公開日（公表日）： 2000年10月24日
要約：
【要約】【課題】 歩留まりが良く、低いコストで、動作速度が速いバイポーラ・トランジスタを有する半導体装置を製造する方法を提供する。【解決手段】 SSTを用いたバイポーラ・トランジスタを有する集積回路からなる半導体装置の製造方法において、P+型ベース電極ポリシリコン膜10となるポリシリコン膜9の成長膜厚を最適化することにより、バイポーラ・トランジスタの動作速度を向上すると同時に、製造歩留まりを向上させて、コストを低減する。
請求項（抜粋）：
SST(Super Self-aligned Process Technology)を用いて、動作速度が速いバイポーラ・トランジスタを有する半導体装置を製造する方法であって、後工程にてベース電極となるシリコン膜を、拡散層を含む領域上に成長させた後、前記シリコン膜を酸化させずに熱処理を加え、ドーパントを拡散させて前記シリコン膜の一部を低抵抗化にしてベース電極を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/331 ,  H01L 29/73
Fターム (12件)：
5F003AP03 ,  5F003BB02 ,  5F003BB05 ,  5F003BB06 ,  5F003BB07 ,  5F003BB08 ,  5F003BH06 ,  5F003BM01 ,  5F003BP31 ,  5F003BP93 ,  5F003BP96 ,  5F003BS04
引用特許：
出願人引用 (12件)
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審査官引用 (12件)
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