特許
J-GLOBAL ID：200903081539422591

露光プロセスモニタ方法及びその装置

発明者：
長友 渉

長友 渉 について

, 
宍戸 千絵

宍戸 千絵 について

, 
諸熊 秀俊

諸熊 秀俊 について


出願人/特許権者：
株式会社日立ハイテクノロジーズ

株式会社日立ハイテクノロジーズ について


代理人 (2件)： 作田 康夫 ,  井上 学
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-097562
公開番号（公開出願番号）：特開2005-286095
出願日： 2004年03月30日
公開日（公表日）： 2005年10月13日
要約：
【課題】 半導体リソグラフィー工程での超解像露光技術で,今後,主流となるレベンソン型位相シフトマスクを用いた露光において,主要なプロセスパラメタである露光量・焦点位置の定量的なモニタリングを可能とする。【解決手段】 レベンソン型位相シフトマスク露光においては,光強度分布の特性によりライン&スペースパターンのピッチ幅およびライン幅によって, -→+へと焦点位置が変動した場合に,レジスト断面形状が順テーパ→逆テーパと変化するパターンと,逆テーパ→順テーパと変化するパターンが存在し,また電子線計測においては,順テーパとなるレジストの断面形状の変動のみが,ライン幅,エッジ幅等の特徴量として検知可能であることから,本手法では,上述のパターンを組み合わせることで焦点位置の符号によらず焦点位置のずれ量を検出する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体デバイスの製造工程における露光工程の状態をモニタする方法であって、露光工程と現像工程とを経て表面にレジストパターンが形成された基板に電子線を走査しながら照射して前記基板の表面に形成されたパターンのSEM像を得、該得た前記パターンのSEM像から該パターンの特徴量を算出し、該算出したパターンの特徴量の情報と予め記憶しておいた露光量及び焦点位置のずれ量とSEM像とを関連付ける推定モデルの情報とを用いて前記露光工程における露光量と焦点位置のずれの状態を監視することを特徴とする露光プロセスモニタ方法。
IPC (2件)：
H01L21/027 ,  G03F7/20
FI (4件)：
H01L21/30 516D ,  G03F7/20 521 ,  H01L21/30 516A ,  H01L21/30 502V
Fターム (8件)：
5F046AA18 ,  5F046AA25 ,  5F046AA28 ,  5F046BA03 ,  5F046DA02 ,  5F046DA14 ,  5F046DD03 ,  5F046DD06
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (6件)
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