特許
J-GLOBAL ID：200903081739839632
レベルコンバート回路および半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人コスモス特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-100857
公開番号（公開出願番号）：特開2006-287309
出願日： 2005年03月31日
公開日（公表日）： 2006年10月19日
要約：
【課題】電源電圧の異なる回路相互間の振幅レベルの変換を迅速に、かつ、確実に行い、低消費電力で動作するレベルコンバート回路を提供する。【解決手段】レベルコンバート回路100は、第1入力信号VIのハイレベルへの遷移に応じて、第1出力信号V1Oの出力点から接地点GNDに至る経路を導通制御する第1NMOSトランジスタTN1と、第2入力信号VIXのハイレベルへの遷移に応じて、第2出力信号VIXの出力点から接地点GNDに至る経路を導通制御する第2NMOSトランジスタTN2と、容量結合により、第1入力信号VIのハイレベルへの遷移を第1NMOSトランジスタのバックゲートバイアス電圧VBG11に伝達する第1キャパシタC1と、容量結合により、第2入力信号VIXのハイレベルへの遷移を第2NMOSトランジスタTP2のバックゲートバイアス電圧VBG12に伝達する第2キャパシタC2とを備えている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
電源電圧が異なる回路相互間の接続に利用されるレベルコンバート回路であり、一方の回路から出力され、互いに反転する第1入力信号及び第2入力信号を入力とし、他方の回路の入力レベルに基づき振幅レベルが変換された第1出力信号及び第2出力信号を出力するレベルコンバート回路であって、
前記第1入力信号のハイレベルへの遷移に応じて、前記第1出力信号の出力点から接地点に至る経路を導通制御する第1NMOSトランジスタと、
前記第2入力信号のハイレベルへの遷移に応じて、前記第2出力信号の出力点から接地点に至る経路を導通制御する第2NMOSトランジスタと、
容量結合により、前記第1入力信号のハイレベルへの遷移を前記第1NMOSトランジスタのバックゲートバイアス電圧に伝達する第1キャパシタと、
容量結合により、前記第2入力信号のハイレベルへの遷移を前記第2NMOSトランジスタのバックゲートバイアス電圧に伝達する第2キャパシタと、
を備えるレベルコンバート回路。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (10件)：
5J056AA00
, 5J056BB17
, 5J056CC21
, 5J056DD29
, 5J056DD51
, 5J056DD55
, 5J056EE04
, 5J056FF08
, 5J056GG09
, 5J056KK02
出願人引用 (2件)
-
レベルシフタ回路
公報種別：公開公報
出願番号：特願2001-340085
出願人：松下電器産業株式会社
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レベルシフト回路
公報種別：公開公報
出願番号：特願2002-338340
出願人：松下電器産業株式会社
審査官引用 (3件)
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半導体集積回路
公報種別：公開公報
出願番号：特願2002-069067
出願人：富士通株式会社
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半導体装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願平9-045235
出願人：株式会社日立製作所
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半導体装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願平11-107695
出願人：三菱電機株式会社
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