結晶シリコン薄膜半導体装置、結晶シリコン薄膜光起電力素子、および結晶シリコン薄膜半導体装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：平田忠雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-058188
公開番号（公開出願番号）：特開2001-250968
出願日： 2000年03月03日
公開日（公表日）： 2001年09月14日
要約：

【要約】【課題】得られる多結晶シリコンの結晶化率が高く、配向性、高特性、および生産性に優れる結晶シリコン薄膜半導体装置、結晶シリコン薄膜光起電力素子、および結晶シリコン薄膜半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】ガラス基板1には透明電極2が設けられ、この透明電極2上に非晶質シリコン層に金属触媒元素としてのNi層4を設け、更に熱処理を行って結晶化してp型の多結晶シリコン層5が形成される。この多結晶シリコン層3は配向性と高結晶化率を持ち、この多結晶シリコン層3Aを種結晶にしてp型の多結晶シリコン層5を形成することにより、この多結晶シリコン層5は配向性と高結晶化率を併せ持った多結晶シリコン層となる。さらに、多結晶シリコン層5上にi型の多結晶シリコン層6、およびn型多結晶シリコン層7を順次形成する。

請求項（抜粋）：

導電性の基板または表面に導電層が形成された基板と、前記導電性の基板または前記導電層の表面に形成された非晶質シリコン層の内部または表層部に接して金属触媒元素が導入され、前記非晶質シリコン層の熱処理による結晶化によって形成された配向性を持つ第1の多結晶シリコン層と、前記第1の多結晶シリコン層を種結晶にして前記第1の多結晶シリコン層と同一の導電型に形成された第2の多結晶シリコン層を有する結晶シリコン薄膜半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 31/04 , H01L 21/20 , H01L 21/205

FI (3件)：

H01L 21/20 , H01L 21/205 , H01L 31/04 X

Fターム (41件)：

5F045AA08 , 5F045AA19 , 5F045AB03 , 5F045AB04 , 5F045AB32 , 5F045AC01 , 5F045AD06 , 5F045AD07 , 5F045AD08 , 5F045AE19 , 5F045AF07 , 5F045AF09 , 5F045AF10 , 5F045BB12 , 5F045CA13 , 5F045DA52 , 5F045DA59 , 5F045DA61 , 5F045HA16 , 5F045HA20 , 5F051AA03 , 5F051AA16 , 5F051CB12 , 5F051CB24 , 5F051CB29 , 5F051DA03 , 5F051DA04 , 5F051GA02 , 5F051GA03 , 5F051GA06 , 5F052AA11 , 5F052CA04 , 5F052CA10 , 5F052DA02 , 5F052DB03 , 5F052DB07 , 5F052EA13 , 5F052EA15 , 5F052FA06 , 5F052HA06 , 5F052JA09

引用特許：

審査官引用 (7件)

光電変換装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-047024 出願人：京セラ株式会社
シリコン積層体とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-347769 出願人：東燃株式会社
薄膜太陽電池及び薄膜太陽電池の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-097477 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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