シリコン基板のエッチング方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中前富士男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-219557
公開番号（公開出願番号）：特開2004-063744
出願日： 2002年07月29日
公開日（公表日）： 2004年02月26日
要約：

【課題】シリコン基板表面の反射率を低減すると共に、高変換効率を備えた太陽電池を製造可能なシリコン基板のエッチング方法を提供する。【解決手段】フッ酸36重量%以上42重量%未満及び硝酸6重量%以上10重量%以下を含む混酸水溶液Aに未処理のシリコン基板を浸漬しエッチング処理する第1工程と、第1工程でエッチング処理したシリコン基板を、フッ酸42重量%以上46重量%以下及び硝酸2重量%以上6重量%未満を含む混酸水溶液Bに浸漬して更にエッチング処理する第2工程とを有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

フッ酸36重量%以上42重量%未満及び硝酸6重量%以上10重量%以下を含む混酸水溶液Aに未処理のシリコン基板を浸漬しエッチング処理する第1工程と、前記第1工程でエッチング処理したシリコン基板を、フッ酸42重量%以上46重量%以下及び硝酸2重量%以上6重量%未満を含む混酸水溶液Bに浸漬して更にエッチング処理する第2工程とを有することを特徴とするシリコン基板のエッチング方法。

IPC (2件)：

H01L21/308 , H01L31/04

FI (2件)：

H01L21/308 B , H01L31/04 H

Fターム (9件)：

5F043AA02 , 5F043BB01 , 5F043EE02 , 5F043EE23 , 5F051AA02 , 5F051AA03 , 5F051BA16 , 5F051GA02 , 5F051GA15

引用特許：

審査官引用 (5件)

シリコン太陽電池の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-128572 出願人：三菱電機株式会社
シリコンウェーハのエッチング液、そのエッチング方法及びそのエッチング液の補給方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-163416 出願人：三菱マテリアルシリコン株式会社, 三菱マテリアル株式会社
エッチレートが高速化されたエッチング液
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-332911 出願人：ダイキン工業株式会社

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