MRAMセルのための磁気異方性を誘導するための斜め堆積

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：桑垣衛
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-517586
公開番号（公開出願番号）：特表2007-525005
出願日： 2004年06月22日
公開日（公表日）： 2007年08月30日
要約：

表面を有する基板を提供するステップと、前記基板上に合成磁気モーメントベクトルを有する第1磁気領域(17)を堆積するステップと、前記第1磁気領域上に電気絶縁材料(16)を堆積するステップと、前記電気絶縁材料上に第2磁気領域(115)を堆積するステップを備えた磁気抵抗トンネル接合セルを製造する方法であって、前記第1磁気領域および第2磁気領域の一方の少なくとも一部分が、前記基板の表面に直交する方向に対して非ゼロの堆積角で該領域を堆積することによって形成されて誘導異方性を作る方法。

請求項（抜粋）：

磁気電子素子を製造する方法であって、合成磁気モーメントベクトル、大きさ、および方向を備えた誘導磁気異方性を有する少なくとも一つの磁気領域を堆積するステップを備え、前記誘導磁気異方性は、前記少なくとも一つの磁気領域の少なくとも一部分を前記磁気電子素子の表面に直交する基準線に対して非ゼロの堆積角で堆積することによって生成されることを特徴とする方法。

IPC (4件)：

H01L 43/12 , H01L 43/08 , H01L 21/824 , H01L 27/105

FI (3件)：

H01L43/12 , H01L43/08 Z , H01L27/10 447

Fターム (27件)：

4M119AA19 , 4M119BB01 , 4M119BB03 , 4M119CC02 , 4M119DD05 , 4M119DD06 , 4M119DD09 , 4M119DD24 , 4M119DD25 , 4M119DD26 , 4M119DD27 , 4M119DD42 , 4M119EE22 , 4M119EE27 , 4M119JJ03 , 4M119JJ05 , 5F092AA11 , 5F092AB01 , 5F092AB06 , 5F092AC08 , 5F092AC12 , 5F092AD03 , 5F092BB35 , 5F092BC07 , 5F092BC08 , 5F092BC42 , 5F092CA02

引用特許：

審査官引用 (8件)

磁気メモリ、磁気メモリの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-182154 出願人：シャープ株式会社
磁気メモリとその駆動方法、およびこれを用いた磁気メモリ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-178745 出願人：松下電器産業株式会社
磁気抵抗素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-143495 出願人：新日本製鐵株式会社

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