特許

J-GLOBAL ID：200903082251399613

断面解析による焦点中心の決定

発明者： リタウ,マイケル,イー. ,  レイモンド,クリストファー,ジェイ.
出願人/特許権者： アクセント オプティカル テクノロジーズ,インク.
代理人 (5件)： 廣江 武典 ,  宇野 健一 ,  武川 隆宣 ,  ▲高▼荒 新一 ,  中村 繁元
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-534994
公開番号（公開出願番号）：特表2005-505929
出願日： 2002年10月10日
公開日（公表日）： 2005年02月24日
要約：

リソグラフィデバイス及び用途における焦点中心の決定を含む、スキャタロメトリモデルの断面解析によるリソグラフィデバイス及び用途におけるパラメータの決定に関する方法。断面解析を利用したリソグラフィデバイスにおける焦点中心の処理制御に関して、制御方法が提供される。

請求項（抜粋）：

リソグラフィデバイスに関連するパラメータを測定する方法であって、 リソグラフィデバイスを利用したリソグラフィ処理によって基板上に形成された複数の回折構造を備える基板を提供するステップにして、前記回折構造が離間した複数の要素を有するステップと、 放射源に基づくツールを用いて複数の回折構造のうち少なくとも三つに関する回折シグネチャを測定するステップと、 測定回折構造の測定された回折シグネチャと一致する理論回折シグネチャを提供する理論回折構造を選択するステップと、 選択された各理論回折構造の断面を計算するステップと、 前記リソグラフィデバイスの所望のパラメータを決定するために、計算された断面間の測定基準を決定するステップと、 を備える方法。

IPC (2件)：

H01L21/027 ,  G03F7/20

FI (2件)：

H01L21/30 502V ,  G03F7/20 501

Fターム (3件)：

2H097BA02 ,  2H097LA10 ,  2H097LA11

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-113597   出願人：ソニー株式会社
• フォトリソグラフィー工程におけるベストフォーカス点検出方法およびそれに用いるレチクル
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-250678   出願人：日鉄セミコンダクター株式会社
• 特開昭63-132428
  
• 重ね合わせ測定方法、テストマークおよび非像化測定装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-173761   出願人：株式会社ニコン

引用文献：

審査官引用 (3件)

• Specular Spectroscopic Profilometry for the Sub-0.18μm PolySi-Gate Processes
• Specular Spectroscopic Scatterometry in DUV Lithography
• Implementation of Spectroscopic Critical Dimension(SCD) for Gate CD Control and Stepper Characteriza