特許
J-GLOBAL ID:200903082554582879

薄膜形成方法、薄膜形成装置、光学素子、有機エレクトロルミネッセンス素子、半導体素子および電子機器

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 渡邊 隆 ,  志賀 正武 ,  実広 信哉
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-266691
公開番号(公開出願番号):特開2004-098012
出願日: 2002年09月12日
公開日(公表日): 2004年04月02日
要約:
【課題】所望のパターン領域に液状材料を塗布して成膜しようするときに、製造コストの低減化及び製造時間の短縮化を可能にするとともに、基板の被処理面全体について均一な薄膜を容易に形成することが可能な薄膜形成方法、薄膜形成装置、光学素子、有機エレクトロルミネッセンス素子、半導体素子および電子機器を提供する。【解決手段】被処理基板である基板10の幅と略同一の長さを持つ吐出口であってスリット形状に開けられた吐出口を有してなるスリットノズルから、液状材料を吐出して、基板10に設けられた所望パターン領域に該液状材料を塗布する。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
被処理基板の幅と略同一の長さを持つ吐出口であってスリット形状に開けられた吐出口を有してなるスリットノズルから、液状材料を吐出して、該被処理基板に設けられた所望パターン領域に該液状材料を塗布することを特徴とする薄膜形成方法。
IPC (8件):
B05D1/26 ,  B05C5/02 ,  B05D7/00 ,  B41J2/01 ,  H05B33/10 ,  H05B33/12 ,  H05B33/14 ,  H05B33/22
FI (8件):
B05D1/26 Z ,  B05C5/02 ,  B05D7/00 H ,  H05B33/10 ,  H05B33/12 B ,  H05B33/14 A ,  H05B33/22 Z ,  B41J3/04 101Z
Fターム (23件):
2C056FA10 ,  2C056FB01 ,  3K007AB18 ,  3K007BA06 ,  3K007DB03 ,  3K007EA00 ,  3K007FA01 ,  4D075AC02 ,  4D075AC56 ,  4D075AC91 ,  4D075AC92 ,  4D075AC93 ,  4D075DA06 ,  4D075DC21 ,  4D075EA05 ,  4D075EA45 ,  4D075EB47 ,  4D075EC11 ,  4F041AA05 ,  4F041AA06 ,  4F041AB01 ,  4F041BA12 ,  4F041BA13
引用特許:
審査官引用 (7件)
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