特許
J-GLOBAL ID：200903082612933210
窒化物半導体レーザ素子
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-099796
公開番号（公開出願番号）：特開2001-057460
出願日： 2000年03月31日
公開日（公表日）： 2001年02月27日
要約：
【要約】【目的】 本発明のレーザ素子は、光学特性、特に遠視野像におけるアスペクト比が改善され、光情報機器への応用を容易にし、出力特性、素子信頼性は従来と同等に良好なものとすることである。【構成】 本発明のレーザ素子は、n型窒化物半導体からなるn側光ガイド層7と、活性層8と、p型窒化物半導体からなるp側光ガイド層9とが積層された構造を有し、前記p側光ガイド層がストライプ状の突出部を有すると共に、該突出部の上にp型窒化物半導体層を有し、該p側光ガイド層の突出部の膜厚が1μm以下であることで、ストライプ状の導波路を形成する。
請求項（抜粋）：
基板上に、少なくともn型窒化物半導体からなるn側光ガイド層と、活性層と、p型窒化物半導体からなるp側光ガイド層とを有する窒化物半導体レーザ素子において、前記p側光ガイド層がストライプ状の突出部を有すると共に、該突出部の上にp型窒化物半導体層を有し、該p側光ガイド層の突出部の膜厚が1μm以下であることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (9件)：
5F073AA13
, 5F073AA45
, 5F073AA74
, 5F073AA89
, 5F073BA04
, 5F073CA07
, 5F073CB05
, 5F073DA21
, 5F073EA19
審査官引用 (8件)
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窒化物半導体素子
公報種別：公開公報
出願番号：特願平9-051232
出願人：日亜化学工業株式会社
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窒化物半導体レーザ素子
公報種別：公開公報
出願番号：特願平8-053428
出願人：日亜化学工業株式会社
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半導体レーザ
公報種別：公開公報
出願番号：特願平6-032106
出願人：日本電気株式会社
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