特許
J-GLOBAL ID：200903082709471505

シリコンウェーハの加工方法

発明者：
古屋田 栄

古屋田 栄 について

, 
高石 和成

高石 和成 について


出願人/特許権者：
三菱住友シリコン株式会社

三菱住友シリコン株式会社 について


代理人 (1件)： 須田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-411287
公開番号（公開出願番号）：特開2005-175106
出願日： 2003年12月10日
公開日（公表日）： 2005年06月30日
要約：
【課題】ラッピング後の平坦度を維持するとともに、表面粗さを低減し得る加工方法を提供する。表面を鏡面研磨したウェーハにおいて、良好な平坦度を得、かつ裏面粗さが小さくなるシリコンウェーハの加工方法を提供する。【解決手段】本発明のシリコンウェーハの加工方法は、複数のエッチング槽に酸エッチング液とアルカリエッチング液をそれぞれ貯え、ラッピング工程11に続いて洗浄工程12を経た加工変質層を有するウェーハを酸エッチング液とアルカリエッチング液とに順次浸漬するエッチング工程13と、エッチングされたウェーハの片面を鏡面研磨する表面鏡面研磨工程18と、表面鏡面研磨されたウェーハを洗浄する洗浄工程19とを含み、エッチング工程が酸エッチングの後にアルカリエッチングが行われる工程であって、酸エッチング液がフッ酸及び硝酸を主成分とする酸水溶液100重量%にリン酸30重量%以上を含有することを特徴とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ラッピング工程に続いて洗浄工程を経た加工変質層を有するシリコンウェーハをフッ酸及び硝酸を主成分とする酸水溶液にリン酸が含有する酸エッチング液に浸漬させて前記ウェーハをエッチングするシリコンウェーハの加工方法。
IPC (2件)：
H01L21/308 ,  H01L21/304
FI (2件)：
H01L21/308 B ,  H01L21/304 621B
Fターム (5件)：
5F043AA02 ,  5F043BB02 ,  5F043DD13 ,  5F043EE07 ,  5F043FF07
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM