特許
J-GLOBAL ID：200903082787529056

半導体装置の製造方法および半導体装置

発明者：
清水 浩三

清水 浩三 について

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作山 誠樹

作山 誠樹 について

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八木 友久

八木 友久 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 横山 淳一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-194660
公開番号（公開出願番号）：特開2005-032885
出願日： 2003年07月09日
公開日（公表日）： 2005年02月03日
要約：
【課題】50μm程度以下のピッチで配列された高アスペクト比の微細なはんだバンプが、対向電極との接合時に荷重によって型崩れや隣接するはんだバンプとの間でのブリッジを生じる問題を解決する。【解決手段】半導体素子または配線基板の何れか一方に形成されたはんだバンプを、他方に形成された対向電極に、その融点直下の温度において熱圧着して仮接合した状態で、半導体素子と配線基板との間にアンダ-フィル樹脂を充填し、はんだバンプの融点ないしそれより高い温度に加熱してはんだバンプを溶融すると共に、アンダ-フィル樹脂を硬化させる。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
半導体素子の電極と配線基板の電極とを接続する半導体装置の製造方法に関し、 共に主表面に電極を有する半導体素子と配線基板の少なくとも何れか一方の該電極上に開口部を有する絶縁膜を形成する工程と、 該開口部内に金属層を形成する工程と、 加熱により該金属層を溶融したのち凝固して第1の金属バンプを形成する工程と、 しかる後に該絶縁膜を除去する工程と、 該金属バンプを他方の電極に位置合わせしたのち熱圧着する工程と、 該金属バンプと電極が熱圧着された該半導体素子と該配線基板との間にフラックス作用を有する熱硬化性接着剤を充填する工程と、 加熱により該熱硬化性樹脂を硬化させると共に該金属バンプによって双方の該電極を電気的に接続する工程 とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (1件)：
H01L21/60
FI (1件)：
H01L21/60 311Q
Fターム (3件)：
5F044LL01 ,  5F044LL04 ,  5F044LL05
引用特許：
審査官引用 (9件)
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