特許
J-GLOBAL ID：200903083019807280
半導体ウェーハ表面検査装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
志賀 正武
, 高橋 詔男
, 村山 靖彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-315154
公開番号（公開出願番号）：特開2009-141081
出願日： 2007年12月05日
公開日（公表日）： 2009年06月25日
要約：
【課題】検査中のウェーハの震動を防止する。【解決手段】表面が鏡面化されるとともに外周部が面取り加工された半導体ウェーハについて、その外周部を把持した後、この把持された半導体ウェーハを鉛直状態に保持してその表面に検査用顕微鏡レンズを近接させて前記半導体ウェーハ表面を検査する装置であって、 前記半導体ウェーハを把持するウェーハ把持部分には、前記半導体ウェーハ外周部に接触する接触部分が2カ所以上設けられ、 前記接触部分には、前記半導体ウェーハ面取り部分の表面側位置に接触する表面接触部と、該表面接触部と前記半導体ウェーハ円周方向同位置とされ前記半導体ウェーハ面取り部分の裏面側位置で接触する裏面接触部とが設けられてなる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
表面が鏡面化されるとともに外周部が面取り加工された半導体ウェーハについて、その外周部を把持した後、この把持された半導体ウェーハを鉛直状態に保持してその表面に検査用顕微鏡レンズを近接させて前記半導体ウェーハ表面を検査する装置であって、
前記半導体ウェーハを把持するウェーハ把持部分には、前記半導体ウェーハ外周部に接触する接触部分が2カ所以上設けられ、
前記接触部分には、前記半導体ウェーハ面取り部分の表面側位置に接触する表面接触部と、該表面接触部と前記半導体ウェーハ円周方向同位置とされ前記半導体ウェーハ面取り部分の裏面側位置で接触する裏面接触部とが設けられてなることを特徴とする半導体ウェーハ表面検査装置。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L21/66 D
, H01L21/66 J
4M106AA01
, 4M106CA38
, 4M106CA41
, 4M106DB18
, 4M106DJ02
, 4M106DJ32
出願人引用 (3件)
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ウェーハ形状検査方法およびその装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願2000-228259
出願人：三菱マテリアルシリコン株式会社
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ウエーハ用検査装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願2002-042398
出願人：本多エレクトロン株式会社, 東芝セラミックス株式会社
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特許第3744176号公報
審査官引用 (5件)
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