特許

J-GLOBAL ID：200903083020431642

半導体装置の製造方法、半導体装置、電気光学装置及び電子機器

発明者： 広島 安 ,  石原 良一 ,  ミン ヘー
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (3件)： 稲葉 良幸 ,  田中 克郎 ,  大賀 眞司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-266063
公開番号（公開出願番号）：特開2007-081066
出願日： 2005年09月13日
公開日（公表日）： 2007年03月29日
要約：

【課題】 半導体デバイスの3次元形成において、特性バラツキの小さな高性能薄膜トランジスタを得ることを可能とする半導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】 少なくとも一方の表面が単結晶性または略単結晶性を有する基板(11)上に半導体膜の結晶化の際の起点となる凹部(123)を形成する凹部形成工程と、前記凹部が形成された前記基板上に半導体膜(130)を形成する半導体膜形成工程と、前記半導体膜に熱処理を行い、前記起点部を略中心とする略単結晶粒(13)を形成する熱処理工程と、前記半導体膜をパターニングし、ソース領域、ドレイン領域及びチャネル形成領域となるべきトランジスタ領域(133)を形成するパターニング工程と、前記トランジスタ領域上にゲート絶縁膜(14)及びゲート電極(15)を形成して薄膜トランジスタを形成する素子形成工程と、を含み、前記素子形成工程では、前記基板が有する単結晶または略単結晶の結晶面[111]以外の方向に薄膜トランジスタを形成する。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

薄膜トランジスタを含む半導体装置の製造方法であって、 少なくとも一方の表面に単結晶又は略単結晶である部分を有する基板上に半導体膜の結晶化の際の起点部となる凹部を形成する凹部形成工程と、 凹部が形成された前記基板上に半導体膜を形成する半導体膜形成工程と、 前記半導体膜に熱処理を行って前記起点部を略中心とする略単結晶粒を形成する熱処理工程と、 前記半導体膜をパターニングし、ソース領域、ドレイン領域及びチャネル形成領域となるべきトランジスタ領域を形成するパターニング工程と、 前記トランジスタ領域上にゲート絶縁膜及びゲート電極を形成して薄膜トランジスタを形成する素子形成工程と、を含み、 前記素子形成工程では、前記基板が有する単結晶又は略単結晶の結晶面[111]以外の面方向に薄膜トランジスタの少なくともチャネル領域を形成する、半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  G02F 1/136 ,  H01L 21/20

FI (6件)：

H01L29/78 627G ,  G02F1/1368 ,  H01L29/78 620 ,  H01L29/78 618A ,  H01L29/78 613A ,  H01L21/20

Fターム (76件)：

2H092JA24 ,  2H092JB58 ,  2H092KA03 ,  2H092KA04 ,  2H092MA30 ,  2H092PA06 ,  5F110AA01 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110BB04 ,  5F110BB11 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD17 ,  5F110DD21 ,  5F110DD25 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF31 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG17 ,  5F110GG22 ,  5F110GG23 ,  5F110GG25 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL23 ,  5F110HM02 ,  5F110HM04 ,  5F110NN04 ,  5F110NN23 ,  5F110NN35 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP23 ,  5F110PP35 ,  5F110PP36 ,  5F110QQ11 ,  5F152AA02 ,  5F152AA06 ,  5F152AA07 ,  5F152BB02 ,  5F152CC02 ,  5F152CC08 ,  5F152CC16 ,  5F152CD03 ,  5F152CD05 ,  5F152CD07 ,  5F152CD09 ,  5F152CD13 ,  5F152CD14 ,  5F152CD23 ,  5F152CD25 ,  5F152CE04 ,  5F152CE05 ,  5F152CE13 ,  5F152CE14 ,  5F152CE24 ,  5F152CE45 ,  5F152FF03 ,  5F152FF21 ,  5F152FF28 ,  5F152FF36 ,  5F152FF39 ,  5F152FF41 ,  5F152FG04 ,  5F152FG18

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-206150   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

審査官引用 (6件)

• 半導体単結晶層の形成方法および半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-208405   出願人：株式会社豊田中央研究所
• 薄膜半導体装置とその製造方法並びに画像表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-176095   出願人：株式会社日立製作所, 株式会社日立ディスプレイズ
• 結晶性半導体膜、該結晶性半導体膜を有する薄膜トランジスタ、並びに該薄膜トランジスタを有する半導体装置及びそれらの作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-261447   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 特開平1-168050
  
• 特開平2-091923
  
• 半導体装置およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-269215   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所