特許
J-GLOBAL ID:200903083022394035

配線基板の製造方法、及び配線基板

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 菅原 正倫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-055503
公開番号(公開出願番号):特開2005-093979
出願日: 2004年02月27日
公開日(公表日): 2005年04月07日
要約:
【課題】コア基板を有さず、高分子材料からなる誘電体層と導体層とが交互に積層された配線基板を容易に得ることが可能な製造方法と、それにより得られる配線基板を提供する。【解決手段】製造時における補強のための支持基板20上に形成された下地誘電体層21の主表面上に、2つの金属箔5a、5bが密着してなる金属箔密着体5と、かつ該金属箔密着体5の周囲領域21cにて下地誘電体層21と密着して該金属箔密着体5を封止する第一誘電体シート11と、第一導体層31と、第一誘電体シート11に貫通形成された第一ビア導体41と、を有する積層シート体10を形成するとともに、積層シート体10のうち、金属箔密着体5上の領域を配線基板となるべき配線積層部100として、その周囲部を除去し、配線積層部100を片方の金属箔5bが付着した状態で、2つの金属箔5a、5bの界面にて剥離する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
コア基板を有さず、かつ両主表面が誘電体層にて構成されるよう、高分子材料からなる誘電体層と導体層とが交互に積層された配線基板を製造するために、 製造時における補強のための支持基板上に形成された下地誘電体シートの主表面上に、該主表面に包含されるよう配された、分離可能な2つの金属箔が密着してなる金属箔密着体と、該金属箔密着体を包むよう形成され、かつ該金属箔密着体の周囲領域にて前記下地誘電体シートと密着して該金属箔密着体を封止する第一誘電体シートと、該第一誘電体シート上に形成された第一導体層と、該第一導体層と前記金属箔密着体とを接続する前記第一誘電体シートに貫通形成された第一ビア導体と、を有する積層シート体を形成するとともに、 前記積層シート体のうち、前記金属箔密着体上の領域を前記配線基板となるべき配線積層部として、その周囲部を除去し、該配線積層部の端面を露出させた後、前記配線積層部を前記支持基板から、片方の金属箔が付着した状態で、前記金属箔密着体における2つの金属箔の界面にて剥離することを特徴とする配線基板の製造方法。
IPC (1件):
H05K3/46
FI (3件):
H05K3/46 B ,  H05K3/46 N ,  H05K3/46 X
Fターム (23件):
5E346AA12 ,  5E346AA13 ,  5E346AA17 ,  5E346AA32 ,  5E346AA33 ,  5E346AA43 ,  5E346BB02 ,  5E346CC04 ,  5E346CC09 ,  5E346CC32 ,  5E346CC37 ,  5E346CC38 ,  5E346CC40 ,  5E346CC54 ,  5E346DD02 ,  5E346DD24 ,  5E346DD33 ,  5E346DD47 ,  5E346EE35 ,  5E346FF07 ,  5E346GG15 ,  5E346GG17 ,  5E346HH02
引用特許:
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (7件)
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