特許
J-GLOBAL ID：200903083151854247
半導体記憶装置
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-244904
公開番号（公開出願番号）：特開平10-092177
出願日： 1996年09月17日
公開日（公表日）： 1998年04月10日
要約：
【要約】【課題】本発明は、チップ面積を増大することなくバンド幅を増大することが可能なDRAMを提供することを目的とする。【解決手段】半導体記憶装置は、複数のビット線と、複数のビット線の各々に接続される第1のセンスアンプと、第1のセンスアンプ及びゲートを介して複数のビット線に接続され、複数のビット線と平行に配置される第1のデータバスと、第1のデータバスとビット線とを接続するためにゲートの少なくとも幾つかを導通させるビット線に直交して配置されるコラム選択線を含むことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
複数のビット線と、該複数のビット線の各々に接続される第1のセンスアンプと、該第1のセンスアンプ及びゲートを介して該複数のビット線に接続され、該複数のビット線と平行に配置される第1のデータバスと、該第1のデータバスと該ビット線とを接続するために該ゲートの少なくとも幾つかを導通させる該ビット線に直交して配置されるコラム選択線を含むことを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (5件)：
G11C 11/409
, G11C 11/41
, G11C 11/401
, H01L 27/108
, H01L 21/8242
G11C 11/34 354 A
, G11C 11/34 345
, G11C 11/34 362 H
, G11C 11/34 371 K
, H01L 27/10 681 B
