特許
J-GLOBAL ID：200903083180804178

窒化物系半導体レーザ素子

発明者：
亀山 真吾

亀山 真吾 について

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野村 康彦

野村 康彦 について

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廣山 良治

廣山 良治 について

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畑 雅幸

畑 雅幸 について


出願人/特許権者：
三洋電機株式会社

三洋電機株式会社 について


代理人 (1件)： ▲角▼谷 浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-240084
公開番号（公開出願番号）：特開2009-099959
出願日： 2008年09月18日
公開日（公表日）： 2009年05月07日
要約：
【課題】共振器面に形成される保護膜の剥離が十分に防止された窒化物系半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】n型GaN基板101は、(11-20)面から[000-1]方向に約0.3度傾斜した結晶成長面を有するオフ基板である。n型GaN基板101上に、複数の103〜110からなる窒化物系半導体層が形成されている。窒化物系半導体レーザ素子1の光出射面1Fは(0001)面のへき開面からなり、後面1Bは(000-1)面のへき開面からなる。これにより、光出射面1FがGa極性面となり、後面1BがN極性面となる。光導波路WGに位置する光出射面1Fの部分、および光導波路WGに位置する後面1Bの部分が、一対の共振器面となる。光出射面1Fには、保護膜として酸化膜であるAl2O3膜211が形成される。後面1Bには、保護膜として窒化膜であるAlN膜221が形成される。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
[0001]方向に延びる光導波路を有するとともに、(0001)面からなる一端面および(000-1)面からなる他端面を共振器面として有する窒化物系半導体層と、 前記窒化物系半導体層の前記一端面に設けられ、酸素を構成元素として含む第1の保護膜と、 前記窒化物系半導体層の前記他端面に設けられ、窒素を構成元素として含む第2の保護膜とを備えることを特徴とする窒化物系半導体レーザ素子。
IPC (1件)：
H01S 5/343
FI (1件)：
H01S5/343 610
Fターム (13件)：
5F173AA08 ,  5F173AG17 ,  5F173AH22 ,  5F173AL04 ,  5F173AL05 ,  5F173AL13 ,  5F173AL14 ,  5F173AP05 ,  5F173AP33 ,  5F173AP76 ,  5F173AP78 ,  5F173AP82 ,  5F173AR99
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 半導体レーザ装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-016586   出願人：株式会社日立製作所
審査官引用 (5件)
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