物質堆積方法及び物質堆積装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：坂口博 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-108506
公開番号（公開出願番号）：特開平11-343570
出願日： 1999年04月15日
公開日（公表日）： 1999年12月14日
要約：

【要約】【課題】基板に薄膜を均一に堆積する方法及び装置を得る。【解決手段】ウェハ100をウェハチャック110に載せるステップと、チャックを通って液体窒素を送り、ウェハとウェハチャックを約+20°C以下の温度に冷却するステップを含む。薄膜付着は、冷却されたウェハに対しソース金属130のスパッタ堆積を用いてウェハとウェハチャックを約+20°C以下に維持しながら行われる。本発明の好ましい実施形態においては、過冷却液として液体窒素を使用し、スパッタリングにより堆積される物質として銅を使用する。さらに、好ましくは、ウェハとウェハチャックを約-100°C以下の温度に冷却する。装置は、物理蒸着室、ウェハチャック、堆積される物質のソース、ウェハ、及びウェハチャックを通りチャックに冷却液を運ぶ冷却ラインを有する。

請求項（抜粋）：

基板に物質を堆積する物質堆積方法であって、チャックに基板を設置する、基板設置ステップとチャックと基板を室温より低い温度に冷却する、冷却ステップと、チャックと基板を室温より低い温度に維持しながら、前記物質を冷却された前記基板に堆積する、堆積ステップと、を有する、物質堆積方法。

IPC (2件)：

C23C 14/34 , H01L 21/285

FI (2件)：

C23C 14/34 S , H01L 21/285 S

引用特許：

審査官引用 (11件)

特開平3-156920
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-152453 出願人：新日本製鐵株式会社
特開平3-156920

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