特許
J-GLOBAL ID：200903083249752540
発光素子用3-5族化合物半導体及び発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
久保山 隆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-280232
公開番号（公開出願番号）：特開平9-129920
出願日： 1995年10月27日
公開日（公表日）： 1997年05月16日
要約：
【要約】【課題】高い発光効率の発光素子を実現できる3-5族化合物半導体及び発光素子を提供する。【解決手段】基板上に、一般式Inx Gay Alz N(ただし、x+y+z=1、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1)で表されるn型層、発光層、及びp型層をこの順に有する積層構造の3-5族化合物半導体であって、n型層と基板とのあいだに、n型層よりもキャリア濃度の低い下地層を有する発光素子用3-5族化合物半導体、及び該半導体を用いる発光素子。
請求項（抜粋）：
基板上に、一般式Inx Gay Alz N(ただし、x+y+z=1、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1)で表されるn型層、発光層、及びp型層をこの順に有する積層構造の3-5族化合物半導体であって、n型層と基板とのあいだに、n型層よりもキャリア濃度の低い下地層を有することを特徴とする発光素子用3-5族化合物半導体。
IPC (4件)：
H01L 33/00
, H01L 21/203
, H01L 21/205
, H01S 3/18
H01L 33/00 C
, H01L 21/203 M
, H01L 21/205
, H01S 3/18
