特許
J-GLOBAL ID：200903083283481938

III族窒化物半導体発光素子

発明者：
宇田川 隆

宇田川 隆 について


出願人/特許権者：
昭和電工株式会社

昭和電工株式会社 について


代理人 (1件)： 矢口 平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-227036
公開番号（公開出願番号）：特開2001-053337
出願日： 1999年08月11日
公開日（公表日）： 2001年02月23日
要約：
【要約】【課題】pn接合型ヘテロ接合構造の発光部を備えたIII族窒化物半導体発光素子を構成するのに際し、発光の透過性に優れ、且つ経時的な特性変化が少ないp形障壁層の接合構成を提供する。【解決手段】p形酸化物障壁層に透明な酸化物結晶層を、p形障壁層の保護層として接合させ、インジウム含有III族窒化物半導体発光層とp形障壁層との中間には、双方の禁止帯幅の差異を緩和する透明酸化物層を配置する構成とする。
請求項（抜粋）：
発光部として、n形のIII族窒化物半導体からなる障壁層と、インジウム含有III族窒化物半導体からなる発光層と、酸化物からなるp形障壁層とを含み、p形障壁層の少なくとも片側に酸化物半導体層が接合されていることを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子。
IPC (2件)：
H01L 33/00 ,  H01S 5/323
FI (2件)：
H01L 33/00 C ,  H01S 5/323
Fターム (15件)：
5F041AA43 ,  5F041CA03 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA82 ,  5F041CA88 ,  5F041CA92 ,  5F073AA61 ,  5F073CA07 ,  5F073CB04 ,  5F073CB07 ,  5F073CB22 ,  5F073DA05 ,  5F073DA35
引用特許：
審査官引用 (7件)
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