特許
J-GLOBAL ID：200903083352659310

薄膜積層構造体及びその製造方法

発明者：
矢野 満明

矢野 満明 について

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井上 正崇

井上 正崇 について

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佐々 誠彦

佐々 誠彦 について

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小池 一歩

小池 一歩 について


出願人/特許権者：
独立行政法人科学技術振興機構

独立行政法人科学技術振興機構 について

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学校法人大阪工大摂南大学

学校法人大阪工大摂南大学 について


代理人 (1件)： 滝本 智之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-385344
公開番号（公開出願番号）：特開2005-145753
出願日： 2003年11月14日
公開日（公表日）： 2005年06月09日
要約：
【課題】単結晶シリコンの(111)面の基板上に、弗化カルシウム薄膜を介してエピタキシャル成長させた酸化亜鉛膜において、当該酸化亜鉛膜はc軸が基板面に垂直に配向して膜面内に結晶方位の回転したドメインを含まず、巨視的にも微視的にも連続した単結晶膜である薄膜積層構造体とその製造方法の提供。【解決手段】単結晶シリコン基板1上に弗化カルシウム薄膜初期層2と弗化カルシウム薄膜3をエピタキシャル成長させ、弗化カルシウム薄膜3上に酸化亜鉛膜4をエピタキシャル成長させる。弗化カルシウム薄膜2と弗化カルシウム薄膜3の厚さの合計が1nm以上で15nm未満、さらに好ましくは3nm以上で12nm未満であり、当該両弗化カルシウム薄膜が基板1の表面と平行に(111)面を有して結晶方位が膜面内で回転したドメインを含まない単結晶膜で、酸化亜鉛膜と接する界面に明白なファセットがない平坦膜としてシリコン基板の全面を覆っている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
単結晶シリコン基板と、前記単結晶シリコン基板上に弗化カルシウム単結晶薄膜を介して形成された酸化亜鉛単結晶膜とよりなり、前記酸化亜鉛単結晶膜はc軸が基板面と垂直に配向して結晶方位が膜面内で回転したドメインを含まず、かつ、巨視的にも微視的にも連続した単結晶膜であることを特徴とする薄膜積層構造体。
IPC (4件)：
C30B29/16 ,  H01L21/363 ,  H01L21/365 ,  H01L33/00
FI (4件)：
C30B29/16 ,  H01L21/363 ,  H01L21/365 ,  H01L33/00 A
Fターム (46件)：
4G077AA03 ,  4G077BB07 ,  4G077DA02 ,  4G077DA03 ,  4G077DA05 ,  4G077DA11 ,  4G077DB01 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077EF02 ,  4G077HA02 ,  4G077SA04 ,  4G077SA07 ,  4G077SB01 ,  4G077SC03 ,  4G077TA04 ,  4G077TA07 ,  4G077TC13 ,  5F041AA03 ,  5F041AA40 ,  5F041CA33 ,  5F041CA41 ,  5F041CA46 ,  5F041CA66 ,  5F045AA05 ,  5F045AA18 ,  5F045AA19 ,  5F045AB22 ,  5F045AC11 ,  5F045AD06 ,  5F045AD10 ,  5F045AF03 ,  5F045AF06 ,  5F045CA09 ,  5F045CA13 ,  5F045DA53 ,  5F103AA04 ,  5F103AA08 ,  5F103BB02 ,  5F103BB55 ,  5F103DD30 ,  5F103GG01 ,  5F103LL01 ,  5F103LL04 ,  5F103NN01 ,  5F103RR05
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (3件)

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