特許
J-GLOBAL ID：200903083360850488

電気光学基板およびその製造方法、電気光学装置及び電子機器

発明者：
片山 茂憲

片山 茂憲 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (1件)： 上柳 雅誉 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-300868
公開番号（公開出願番号）：特開2002-110998
出願日： 2000年09月29日
公開日（公表日）： 2002年04月12日
要約：
【要約】【課題】 従来、透明基板を用いた貼り合わせ電気光学基板では、基板裏面から光が入射すると、基板上に形成した半導体デバイスに光によるリーク電流が発生し、デバイス特性が劣化し、動作不良の原因となっていた。【解決手段】 このため電気光学基板の透明支持基板1と単結晶シリコン層2の間に遮光層4を形成することにより、基板裏面からの光入射を遮る構造とした。また、遮光層4は基板表面からの光反射によるトランジスタの光リークを防止するため、予め凹面あるいは凸面に湾曲させた構造とし、同時に貼り合わせ法SOI作製プロセスにおいて単結晶シリコン層を支持基板と貼り合わせる前に支持基板側に形成しておく。
請求項（抜粋）：
透明基板と、前記透明基板の一方の表面に形成された遮光層と、前記遮光層の上に設けられた絶縁体層と、前記絶縁体層の上に形成された単結晶半導体層と、前記単結晶半導体層上に絶縁体層を介して形成されたゲート電極と、前記ゲート電極上に絶縁体層を介して形成されたソース電極及びドレイン電極とを備えた半導体素子において、前記透明基板は、前記半導体素子のチャネルに対向する領域において、湾曲されており、この湾曲された領域上に前記遮光層が形成されていることを形成することを特徴とする電気光学基板。
IPC (4件)：
H01L 29/786 ,  G09F 9/30 349 ,  H01L 27/12 ,  H01L 21/336
FI (5件)：
G09F 9/30 349 C ,  H01L 27/12 B ,  H01L 29/78 619 B ,  H01L 29/78 626 C ,  H01L 29/78 627 D
Fターム (29件)：
5C094AA25 ,  5C094BA03 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094EA04 ,  5C094EA07 ,  5C094EB02 ,  5C094ED15 ,  5C094GB10 ,  5F110AA06 ,  5F110BB02 ,  5F110CC02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD13 ,  5F110DD21 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG24 ,  5F110GG25 ,  5F110GG33 ,  5F110NN02 ,  5F110NN45 ,  5F110NN46 ,  5F110NN48 ,  5F110NN53 ,  5F110NN54 ,  5F110NN55 ,  5F110QQ17 ,  5F110QQ19
引用特許：
審査官引用 (5件)
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