エッチング方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：金本哲男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-343050
公開番号（公開出願番号）：特開平7-169747
出願日： 1993年12月14日
公開日（公表日）： 1995年07月04日
要約：

【要約】【目的】選択比を向上させ、良好な異方性エッチングを実現させる。【構成】処理容器2内に処理ガスを導入し、半導体ウエハWに対してプラズマ雰囲気下で所定のエッチング処理を施すエッチング方法において、前記処理ガスに、エッチャントを発生させるハロン系ガスと、F(フッ素)含まないS(硫黄)系ガスとの混合ガスを含むガスを用いる。【効果】ハロン系ガスの解離によって発生した異方性を妨げる過剰なラジカル成分が、F(フッ素)含まないS(硫黄)系ガスによって吸収除去され、選択比が向上する。

請求項（抜粋）：

処理室内に処理ガスを導入し、被処理体に対してプラズマ雰囲気下で所定のエッチング処理を施すエッチング方法において、少なくとも前記処理ガスが、フロン系ガスと、F(フッ素)を含まないS(硫黄)系ガスとの混合ガスとを含むことを特徴とする、エッチング方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 , C23F 4/00

引用特許：

審査官引用 (14件)

ドライエッチング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-017617 出願人：ソニー株式会社
特開平4-350933
特開平3-179735

全件表示

前のページに戻る