特許
J-GLOBAL ID：200903083547061720

半導体装置およびその作製方法

発明者：
森若 智昭

森若 智昭 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-282447
公開番号（公開出願番号）：特開2007-288127
出願日： 2006年10月17日
公開日（公表日）： 2007年11月01日
要約：
【課題】CWレーザや発振周波数が10MHz以上のパルスレーザを用いた結晶化で得られるそれぞれの結晶粒の面方位を、レーザビームの照射領域内で一方向とみなすことができる方向に制御する。【解決手段】半導体膜上にキャップ膜を形成したのちにCWレーザまたは発振周波数が10MHz以上のパルスレーザを照射して半導体膜を結晶化する。得られた半導体膜は複数の結晶粒を有し、この結晶粒は幅が0.01μm以上、長さが1μm以上であり、この半導体膜の表面に垂直な方向を第1方向とし、この第1方向を法線ベクトルとする面を第1面とすると、第1面における半導体膜の面方位は、±10°の角度揺らぎの範囲内において{211}方位が4割以上である。この半導体膜を用いて半導体装置を作製する。【選択図】図9
請求項（抜粋）：
基板上に複数の結晶粒で構成される半導体膜を有し、前記結晶粒の粒径は、幅が0.01μm以上、長さが1μm以上であり、前記基板表面に垂直な方向を第1方向とし、前記第1方向を法線ベクトルとする面を第1面とすると、前記第1面における前記複数の結晶粒で構成される半導体膜の面方位は、±10°の角度揺らぎの範囲内において{211}方位が4割以上であることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/20 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/268
FI (6件)：
H01L21/20 ,  H01L29/78 627G ,  H01L29/78 618Z ,  H01L29/78 620 ,  H01L29/78 617S ,  H01L21/268 J
Fターム (168件)：
5F110AA01 ,  5F110AA26 ,  5F110BB02 ,  5F110BB03 ,  5F110BB04 ,  5F110BB05 ,  5F110BB20 ,  5F110CC02 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE06 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE23 ,  5F110EE28 ,  5F110EE42 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF02 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG16 ,  5F110GG17 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG32 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110GG51 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL01 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL12 ,  5F110HL14 ,  5F110HL23 ,  5F110HM03 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36 ,  5F110PP01 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP05 ,  5F110PP06 ,  5F110PP10 ,  5F110PP11 ,  5F110PP23 ,  5F110PP24 ,  5F110PP27 ,  5F110PP29 ,  5F110PP34 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ06 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ16 ,  5F110QQ19 ,  5F110QQ23 ,  5F152AA03 ,  5F152AA06 ,  5F152AA07 ,  5F152AA10 ,  5F152BB01 ,  5F152BB02 ,  5F152BB03 ,  5F152BB06 ,  5F152CC02 ,  5F152CC03 ,  5F152CC04 ,  5F152CC05 ,  5F152CC08 ,  5F152CC09 ,  5F152CD13 ,  5F152CD14 ,  5F152CD15 ,  5F152CD17 ,  5F152CE04 ,  5F152CE05 ,  5F152CE06 ,  5F152CE07 ,  5F152CE13 ,  5F152CE14 ,  5F152CE16 ,  5F152CE24 ,  5F152CE28 ,  5F152CE32 ,  5F152CE35 ,  5F152CE37 ,  5F152CE44 ,  5F152CE45 ,  5F152CE48 ,  5F152CF02 ,  5F152CF13 ,  5F152CF14 ,  5F152CF15 ,  5F152CF17 ,  5F152CF18 ,  5F152CF26 ,  5F152EE01 ,  5F152EE14 ,  5F152EE16 ,  5F152FF02 ,  5F152FF04 ,  5F152FF05 ,  5F152FF06 ,  5F152FF07 ,  5F152FF08 ,  5F152FF21 ,  5F152FF28 ,  5F152FF30 ,  5F152FF36 ,  5F152FF39 ,  5F152FF47 ,  5F152FF48 ,  5F152FG01 ,  5F152FG05 ,  5F152FG13 ,  5F152FG18 ,  5F152FG19 ,  5F152FG21 ,  5F152FG22 ,  5F152FH02 ,  5F152FH03 ,  5F152FH15 ,  5F152LP08 ,  5F152MM04 ,  5F152NN01 ,  5F152NN14 ,  5F152NN16 ,  5F152NN20 ,  5F152NP13 ,  5F152NP17 ,  5F152NQ03 ,  5F152NQ04 ,  5F152NQ12 ,  5F152NQ13
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (5件)
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