特許
J-GLOBAL ID:200903083550500637

レジスト保護膜材料及びパターン形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件): 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-127696
公開番号(公開出願番号):特開2006-308647
出願日: 2005年04月26日
公開日(公表日): 2006年11月09日
要約:
【解決手段】 下記一般式(1)で示される部分構造を有する高分子化合物を含む。(式中、R1は水素、フッ素又はCF3である。)【効果】非水溶性で、かつアルカリ水溶液に溶解可能であり、しかもレジスト層とミキシングすることがなく、アルカリ水による現像時に、現像と一括して剥離可能な保護膜(レジスト上層膜)が形成され、プロセス的な適用性がかなり広くなる。【選択図】 なし
請求項(抜粋):
下記一般式(1)で示される部分構造を有する高分子化合物を含むことを特徴とするレジスト保護膜材料。
IPC (4件):
G03F 7/11 ,  C08F 14/18 ,  C08F 20/28 ,  H01L 21/027
FI (5件):
G03F7/11 501 ,  C08F14/18 ,  C08F20/28 ,  H01L21/30 515D ,  H01L21/30 575
Fターム (21件):
2H025AA00 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025AD03 ,  2H025DA02 ,  2H025DA03 ,  2H025FA03 ,  2H025FA17 ,  4J100AC22P ,  4J100AL08P ,  4J100BA02P ,  4J100BA16P ,  4J100BB07P ,  4J100BB12P ,  4J100BB18P ,  4J100JA38 ,  5F046BA03 ,  5F046DA27 ,  5F046JA22
引用特許:
出願人引用 (6件)
  • 特開昭62-62520号公報
  • 特開昭62-62521号公報
  • 特開昭60-38821号公報
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審査官引用 (3件)

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