特許
J-GLOBAL ID:200903083574807318
インダクタンス素子の製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
大田 優
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-022003
公開番号(公開出願番号):特開2000-223342
出願日: 1999年01月29日
公開日(公表日): 2000年08月11日
要約:
【要約】【課題】 フェライトコアの磁性体の特性を維持して、高いインダクタンスやQの得られるインダクタンス素子を提供する。【解決手段】 円柱または角柱のフェライトコアの側面に導体膜を形成し、この導体膜をYAGレーザで切削して螺旋状の導体パターンを形成する。導体膜とフェライトコアの間にYAGレーザが透過するガラス層を形成することにより、YAGレーザで切削するとき導体膜のみが切削されるようにする。フェライトコアの磁性体は直接レーザーが照射されることがないので変質せず、磁性体の特性を維持できる。
請求項(抜粋):
角柱または円柱形のフェライトコアの側面に導体膜を形成し、その導体膜の一部をレーザー加工によって切削してフェライトコアの周囲に螺旋状の導体パターンを形成するインダクタンス素子の製造方法において、螺旋状の導体パターンを形成する部分のフェライトコアの表面にガラス層を形成し、ガラス層上に導体膜を形成し、YAGレーザー加工によって導体膜の一部を切削して、フェライトコアの周囲に螺旋状の導体パターンを形成することを特徴とするインダクタンス素子の製造方法。
IPC (4件):
H01F 41/04
, H01F 17/00
, H01F 27/255
, H01F 1/34
FI (4件):
H01F 41/04 E
, H01F 17/00 G
, H01F 27/24 D
, H01F 1/34 A
Fターム (15件):
5E041AB01
, 5E041AB19
, 5E041BC01
, 5E041BD01
, 5E041CA02
, 5E041CA10
, 5E041HB14
, 5E070AA01
, 5E070AB02
, 5E070AB04
, 5E070AB06
, 5E070BA07
, 5E070CB04
, 5E070CB15
, 5E070CC03
引用特許:
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