窒化物半導体素子

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：豊栖康弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-015971
公開番号（公開出願番号）：特開2000-244013
出願日： 1999年04月20日
公開日（公表日）： 2000年09月08日
要約：

【要約】【課題】種々の応用製品への適用範囲の拡大を可能とするために、発光出力及び静電耐圧を向上させることができる窒化物半導体発光素子を提供する。【解決手段】基板上に、n側窒化物半導体層、活性層及びp側窒化物半導体層を有する窒化物半導体素子において、活性層がIn<SB>a</SB>Ga<SB>1-a</SB>N(0≦a<1)よりなる多重量子井戸構造であり、n側窒化物半導体層が、n型不純物が互いに異なる濃度でドープされたバンドギャップエネルギーが異なる又はn型不純物が互いに異なる濃度でドープされた同一組成を有する2種類の窒化物半導体層が積層されてなるn側第1多層膜層と、Inを含む第1の窒化物半導体層と、その第1の窒化物半導体層と異なる組成を有する第2の窒化物半導体層とが積層されてなり、n側第1多層膜と活性層との間に位置するn側第2多層膜層とを含む。

請求項（抜粋）：

基板上に、n側窒化物半導体層、活性層及びp側窒化物半導体層を有する窒化物半導体素子において、前記活性層が、In<SB>a</SB>Ga<SB>1-a</SB>N(0≦a<1)層を含む多重量子井戸構造であり、前記n側窒化物半導体層が、n型不純物が互いに異なる濃度でドープされているバンドギャップエネルギーが異なる又はn型不純物が互いに異なる濃度でドープされている同一組成を有する少なくとも2種類の窒化物半導体層が積層されてなるn側第1多層膜層と、Inを含む第1の窒化物半導体層と、その第1の窒化物半導体層と異なる組成を有する第2の窒化物半導体層とが積層されてなり、前記n側第1多層膜と前記活性層との間に位置するn側第2多層膜層とを含むことを特徴とする窒化物半導体素子。

IPC (2件)：

H01L 33/00 , H01S 5/343

FI (2件)：

H01L 33/00 C , H01S 5/343

引用特許：

審査官引用 (9件)

半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-038259 出願人：株式会社東芝
半導体発光装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-155447 出願人：京セラ株式会社
光半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-204245 出願人：ソニー株式会社

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引用文献：

審査官引用 (3件)

IEEE JOURNAL OF
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